常压化学气相淀积（APCVD）是指在大气压下进行的一种化学气相淀积的方法，这是化学气相淀积最初所采用的方法。这种工艺所需的系统简单，反应速度快，，但是均匀性较差，台阶覆盖能力差，所以一般用于厚的介质淀积。

除了常压化学气相淀积（APCVD）之外，还有低压化学气相淀积（LPCVD）,等离子体增强型淀积（PECVD）。目前，在芯片制造过程中，大部分所需的薄膜材料，不论是导体、半导体，或是介电材料，都可以用化学气相淀积来制备。