基本信息

类别：分离式半导体产品

家庭：MOSFET，GaNFET - 单

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点：标准型

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：270 毫欧 @ 10A, 10V

漏极至源极电压(Vdss)：500V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：20A

Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 1mA

闸电荷(Qg) @ Vgs：80nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：3720pF @ 10V

功率 - 最大：150W

安装类型：通孔

封装/外壳：2-16C1B (TO-247 N)

包装：管件

供应商设备封装：TO-3P(N)