| 词条 | 半导体制造基础 |
| 释义 | 图书信息书 名: 半导体制造基础 作 者：(美)梅 译者:代永平 出版社： 人民邮电出版社 出版时间： 2007年11月 ISBN: 9787115166395 开本： 16开 定价: 45.00 元 内容提要本书在简要介绍半导体制造流程的基础上，着力从理论和实践两个方面对晶体生长、硅氧化、光刻、刻蚀、扩散、离子注入和薄膜淀积等主要制备步骤进行详细探讨。本书所有内容的讲解都结合了计算机仿真和模拟工具，并将工艺模拟作为问题分析与讨论的工具。 本书可作为高等院校微电子和材料科学等专业高年级本科生或者一年级研究生的教材。 作者简介GaryS.May是半导体制造领域的世界级专家，IEEE会士，现任佐治亚理工学院电子和计算机工程学院院长、教授。May于1991年获得加州大学伯克利分校博士学位，此后任职于贝尔实验室和麦道公司。曾担任半导体领域权威期刊IEEETransactionsofSemiconductormanufacturing主编。 目录第1章概述 第2章晶体生长 第3章硅氧化 第4章光刻 第5章刻蚀 第6章扩散 第7章离子注入 第8章薄膜淀积 第9章工艺集成 第10章IC制造 第11章未来趋势和挑战 附录A符号表 附录B国示单位制 附录C单位词头 附录D希腊字母表 附录E物理常数 附录F300K时Si和GaAs的性质 附录G误差函数的一些性质 附录H气体基本动力学理论 附录ISUPREM命令 附录J运行PROLITH 附录Kt分布的百分点 附录LF分布的百分点 索引 |
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