最高结温（Maximum junction temperature）：

pn结是由p型半导体和n型半导体构成的，其中存在势垒区。而p型半导体或者n型半导体，在较高温度下都将转变为本征半导体，因此pn结就存在一个最高的工作温度，即最高结温——pn结势垒消失时的温度。

对于双极型晶体管，功率的耗散(消耗)即将使得承受很高电压的集电结的结温升高，当功耗增大到使晶体管的基区转变为本征导电时的集电结的温度，即定为晶体管的最高结温。Si晶体管的最高结温为150~200 ℃，Ge晶体管的为85~125 ℃。为了提高晶体管的输出功率，就应当降低热阻和降低环境温度，以增强散热能力，使得集电结的结温不要超过最高结温。

对于场效应晶体管，由于其结构中也存在pn结（源区和漏区的pn结），所以最高结温的概念在此同样适用。