出生籍贯

毕业院校

科研成果

出生籍贯

周希彦 男，1926年生，江苏六合人。

毕业院校

1957年毕业毕业于北京大学物理系(首届半导体专业)。历任北京电器科学研究院技术员、工程师，机械工业部西安整流器研究所主任工程师、高级工程师。

科研成果

１９５８年研制成功硅合金法大功率整流器，１９６５年获国爱发明奖。先后研制成功４千伏高压硅晶闸管及大功率光控硅晶闸管。１９８２年研制成功大功率光控硅晶闸管。现任电力电子技术研究所教授级高级工程师．数十年一直从事大功率半导体元件的研制和技术推广，主持的多项课题填补了国内空白或首创，主要有“硅合金法整流元件的研究”；本行业最早通用的“真空直式烧结炉”和全套“合金法工艺”等，获国家科委1964年发明三等奖。此成果为以后其它大功率元件的研制打下了一定的基础．同时期向各地行业厂，科研单位进行接纳培训和下厂推广。对本行业的早期兴建起到推动作用，1973年在“西整所”由全国九家行业厂和大学成立的“高压可控硅技术攻关组”任技术负责人，研制成4000V，200A高压晶闸管，先后发明“V形双正角刻槽工艺”及“平板倾斜磨角技术”，对4KV，500A晶阐管的研制起到关键作用，1982年最早研制成以发光二极管(1ED)触发的2500V，500A光控晶闸管(1TT)。继后，完成部下《重大科研专项课题》任务，于1988年研制成3—4KV， 1KA(直接触发型)和4．5KV，0。5—1A(间接触发型)两种类型的光控晶闸管，填补了国内空白，达到八十年代国际技术水平；并协同外单位完成《铯灯触发光源》 和《1TT专用光缆》及1ED和1TT一体化的《门极绝缘光控晶闸管》，先后获部局科研进步奖； DJ8技术委员会一等奖；部级二等奖。多年来所创建的技术如：《搪锡工艺》；《门极电蚀刻》；《低温液态合金电极》等分别在一些行业厂得到不同程度的应用，享有政府“对工程技术做出突出贡献”的特殊津贴。