词条 | 张小文 |
释义 | 1、桂林电子科技大学教师个人简介:张小文,男,博士毕业,1977年生,湖南省邵阳市人。2004年-2008年在中国兵器工业集团第二一一研究所工作。2010年毕业于上海大学,获材料学专业博士学位。2010年10月进入桂林电子科技大学工作,作为主要成员曾参与国家自然科学基金项目4项,863项目1项,XX跨行业重点预研项目1项。在“J. Phys. D: Appl. Phys.”、“Thin Solid Films”、“Synthetic Metals”、“Semicond. Sci. Technol.”、“J. Cryst. Growth”和“Solid State Communications”等国际学术刊物发表了10多篇学术论文。 研究方向半导体光电材料与器件(有机电致发光器件,薄膜晶体管器件,光学晶体材料) 近期发表的部分论文 [1] X.W. Zhang, X.Y. Jiang, M.A. Khan, J. Li, L. Zhang, J. Cao, W.Q. Zhu, Z.L. Zhang, Colour tunability of blue top-emitting organic light-emitting devices with single-mode resonance and improved performance by using C60 capping layer and dual emission layer, J. Phys. D: Appl. Phys. 42 (2009) 145106 (8pp). [2] X.W. Zhang, J. Li, L. Zhang, X.Y. Jiang, K. Haq, W.Q. Zhu, Z.L. Zhang, Top-emitting organic light-emitting device with high efficiency and low voltage using a silver-silver microcavity, Thin Solid Films 518 (2010) 1756-1759. [3] X.W. Zhang, J. Li, M.A. Khan, L. Zhang, X.Y. Jiang, K. Haq, W.Q. Zhu, Z.L. Zhang, Improved chromaticity and electron injection in blue organic light-emitting device by using a dual electron-transport layer with hole-blocking function, Semicond. Sci. Technol. 24 (2009) 075021 (5pp). [4] X.W. Zhang, X.Y. Jiang, M.A. Khan, J. Cao, J.W. Ma, L. Zhang, J. Li, K. Haq, W.Q. Zhu, Z.L. Zhang, Enhanced electron injection in organic light-emitting devices by using a composite electron injection layer composed of 8-hydroquinolatolithium and cesium oxide, Solid State Communications 149 (2009) 652-656. [5] X.W. Zhang, M.A. Khan, X.Y. Jiang, J. Cao, W.Q. Zhu, Z.L. Zhang, Electron injection property at the organic-metal interface in organic light-emitting devices revealed by current-voltage characteristics, Physica B 404 (2009) 1247-1250. [6] X.W. Zhang, J. Li, L. Zhang, H.P. Lin, X.Y. Jiang, W.Q. Zhu, Z.L. Zhang, Improved performance of Si-based top-emitting organic light-emitting device using MoOx buffer layer, Synthetic Metals 160 (2010) 788-790. [7] X.W. Zhang, Z. Zhao, P. Zhang, R.B. Ji, Q.B. Li, Comparison of CdZnTe crystals grown by the Bridgman method under Te-rich and Te-stoichiometric conditions and the annealing effects, J. Cryst. Growth 311 (2009) 286-291. [8] X.W. Zhang, B.D. Ding, J. Li, L. Zhang, X.Y. Jiang, W.Q. Zhu, Z.L. Zhang, Red top-emitting organic light-emitting device using 6,13-di-(3,5-diphenyl) phenylpentacene doped emitting system, Solid State Communications 150 (2010) 1132-1135. [9] J. Li, X.W. Zhang, L. Zhang, K. Haq, X.Y. Jiang, W.Q. Zhu, Z.L. Zhang, Performance enhancement of organic thin-film transistors using WO3-modified drain/source electrodes, Semicond. Sci. Technol. 24 (2009) 115012. [10] J. Li, X.W. Zhang, L. Zhang, H. Zhang, X.Y. Jiang, K. Haq, W.Q. Zhu, Z.L. Zhang, MoOx interlayer to enhance performance of pentacene-TFTs with low-cost copper electrodes, Synthetic Metals 160 (2010) 376-379. [11] J. Li, X.W. Zhang, L. Zhang, K. Haq, X.Y. Jiang, W.Q. Zhu, Z.L. Zhang, Improving organic transistor performance through contact-area-limited doping , Solid State Communications 149 (2009) 1826-1830. [12] J. Li, X.W. Zhang, L. Zhang, H. Zhang, X.Y. Jiang, W.Q. Zhu, Z.L. Zhang, Effect of a SiNx insulator on device properties of pentacene-TFTs with a low-cost copper source/drain electrode, Semicond. Sci. Technol. 25 (2010) 045027. [13] L. Zhang, J. Li, X.W. Zhang, X.Y. Jiang, Z.L. Zhang, High performance ZnO-thin-film transistor with Ta2O5 dielectrics fabricated at room temperature, Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 072112. [14] J. Li, X.W. Zhang, L. Zhang, H.P. Lin, H. Zhang, X.Y. Jiang, Z.L. Zhang, The feasibility of using an Al-alloy film as the source/drain electrode in a microcrystalline silicon thin-film transistor, Solid State Communications 150 (2010) 1560-1563. [15] J. Li, L. Zhang, X.W. Zhang, H. Zhang, X.Y. Jiang, D.B. Yu, W.Q. Zhu, Z.L. Zhang, Reduction of the contact resistance in copper phthalocyanine thin film transistor with UV/ozone treated Au electrodes, Current Applied Physics 10 (2010) 1302-1305. [16] L. Zhang, J. Li, X.W. Zhang, D.B. Yu, H.P. Lin, K. Haq, X.Y. Jiang, Z.L. Zhang, Low-voltage-drive and high output current ZnO thin-film transistors with sputtering SiO2 as gate insulator, Current Applied Physics 10 (2010) 1306-1308. [17] L. Zhang, J. Li, X.W. Zhang, X.Y. Jiang, Z.L. Zhang, High-performance ZnO thin film transistors with sputtering SiO2/Ta2O5/SiO2 multi-layer gate dielectric, Thin Solid Films 518 (2010) 6130-6133. [18] H.P. Lin, D.B. Yu, X.W. Zhang, J. Li, L. Zhang, X.Y. Jiang, Z.L. Zhang, Enhancing color purity and efficiency of white organic light-emitting diodes using a double-emitting layer, Semicond. Sci. Technol. 25 (2010) 105004. 2、国脚个人简介姓名:张小文 英文名:Zhang Xiaowen 生日:1964-07-15 场上位置:球员 惯用脚:右脚 出生地:兴宁市 国籍:中国 代表国家队:出场15次,进3球 欧洲三大杯:出场0次,进0球 欧洲冠军联赛:出场0次,进0球 张小文1964年出生于兴宁,足球运动健将。曾在兴宁城镇三小、兴宁一中就读,1975年参加兴宁县业余体校足球班训练,1981年选进广东省足球二队,1983年选上广东省足球队,1988年入选国家足球队。张小文身高1.78米,身体素质好,基本功扎实,善踢中后卫位置,其特点是头脑冷静,抢截凶狠,传球到位,掷界外球准确有力。曾两次参加“省港杯”足球比赛,并代表广东队参加第六届全国运动会荣获男子足球比赛冠军,多次参加国际国内的重大比赛。1988年,正值当打之年的他作为中国足球队的主力,参加了汉城奥运会。 职业生涯比赛日期 比赛性质 代表球队 对手球队 主客场 比分 出场时间 状态 进球 得牌 分析 1990-07-31 四强赛 中国 韩国 主场 0:1 90 首发 0 1989-10-24 世预 中国 朝鲜 主场 1:0 46 首发 0 1989-07-22 世预 中国 伊朗 客场 2:3 90 首发 0 1989-07-15 世预 中国 伊朗 主场 2:0 90 首发 1 1989-05-13 友谊赛 中国 日本 客场 0:2 45 替补 0 1989-05-10 友谊赛 中国 日本 客场 2:2 66 首发 1 1988-12-17 亚洲杯 中国 伊朗 客场 0:0 120 首发 0 1988-12-14 亚洲杯 中国 韩国 客场 1:2 120 首发 0 1988-12-12 亚洲杯 中国 沙特阿拉伯 客场 0:1 90 首发 0 1988-12-10 亚洲杯 中国 科威特 主场 2:2 90 首发 0 1988-12-06 亚洲杯 中国 巴林 主场 1:0 90 首发 1 1988-12-04 亚洲杯 中国 叙利亚 主场 3:0 90 首发 0 1988-09-21 奥运会 中国 突尼斯 主场 0:0 90 首发 0 1988-06-02 友谊赛 中国 日本 客场 3:0 90 首发 0 1988-02-16 亚预 中国 印度 主场 1:1 90 首发 0 |
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