基本信息

研究领域

学术成果

基本信息

尹龙卫，男，1966年6月生。

工学博士，教授，博士生导师，现任山东大学高分辩分析中心主任。

2001年6月获得山东大学博士学位。

2003年以来在日本国家材料研究所先进材料研究室任特别研究员。

“新世纪百千万人才工程”国家级人选、山东省“泰山学者”特聘教授，山东省自然科学杰出青年基金、国家自然科学基金杰出青年基金获得者。

研究领域

主要从事层状与有序介孔轻元素化合物、III-V与II-VI族化合物等材料的合成、微观结构、相关物理与化学性能等的系统研究与探索，超硬材料和低维功能半导体材料的合成、结构表征与相关性能，展开材料在储能与环保领域的应用研究,取得了一系列具有创新性的研究成果，相关研究结果发表在Nature Materials，J. Am. Chem. Soc.，Adv. Mater.，Nano Lett.，Adv. Funct. Mater.，Small，Angew. Chem. Int. Ed.，Appl. Phys. Lett.等有影响的材料与化学学科学术期刊上，被SCI引用超过800次。

学术成果

获得2002年度山东省自然科学二等奖、2001年度山东省高等学校自然科学理论成果一等奖，博士学位论文“高温高压下 Fe-Ni-C系中金刚石的形核长大机制及晶体缺陷分析 ”被评为2001年山东大学优秀博士学位论文。

近年在Nature Materials，J. Am. Chem. Soc.，Adv. Mater.，Nano Lett.，Adv. Funct. Mater.，Small，Angew. Chem. Int. Ed.，Appl. Phys. Lett.等有影响的材料与化学学科学术期刊上发表相关学术论文70余篇，其中有60余篇论文被SCI、EI收录，被SCI引用超过800次，授权和申请发明专利13项。

2003年2月起在日本国家材料研究所任客座研究员，主要从事一维纳米半导体和超硬材料的研究，取得了重要的研究成果.

2005年12月1日应邀在国际著名学术刊物《Nature Materials》发表论文《Optimizing properties by tuning morphology》，影响因子：13.531。

此文主要研究ZnS纳米半导体材料。ZnS作为首先发现的最重要的一类半导体材料，具有六方和立方两种典型晶体结构。一般认为，在1200度以下，立方(zinc-blende)ZnS比六方（wurtzite）ZnS相更稳定。而最近研究表明ZnS纳米带即使在6.8 GPa高压状态下，也保持六方晶体结构。而揭示这种亚稳ZnS六方相在室温下的超常稳定机制无论从基础科学和实际应用都是至关重要的。该评述文章提出通过控制ZnS的表面能即形状、尺寸、晶格缺陷等来控制材料的晶体结构，进而得到最佳的材料性能这一新的概念。由于III-V、II-VI等半导体大多具有与ZnS相似的晶体结构，此理论的提出对控制半导体的形态及结构，进而优化半导体的性能、开发低维光电子器件、制定合理的制备工艺具有理论指导作用。