oxidation film；oxide film

金属钝化理论认为，钝化是由于表面生成覆盖性良好的致密的钝化膜。大多数钝化膜是由金属氧化物组成，故称氧化膜。如铁钝化膜为γ-Fe2O3，Fe3O4，铝钝化膜为无孔的γ-Al2O3等。氧化膜厚度一般为10-9～10-10m。一些还原性阴离子，如Cl-对氧化膜破坏作用较大。为了得到厚的致密的氧化膜，常采用化学或电化学处理。

在半导体器件的制造上，氧化膜具有极为重要的作用。其被利用为MOS晶体管的棚级氧化膜、PN接合部的保护膜、杂质扩散的光罩。制造氧化膜的代表例有：热氧化法及气相成长法（CVD法）。

热氧化法（thermal oxide method）

将硅晶圆的表面用高温氧气或水蒸气加以氧化生成。由于可形成细密的氧化膜，因此被用于MOS晶体管的棚级氧化层、钝化层（passivation film，or passivation layer）。用氧化形成的膜厚度可由温度、时间、或者水蒸气的流量加以控制。

气相成长法（CVD:Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积）

这是在高温的反应炉内由硅烷气体（SiH4）、氧气等，利用化学反应将氧化硅沉积在晶圆表面的方法，这包括常压CVD法（1大气压）与低压CVD法等。主要用途在于形成配线层间的绝缘膜，保护芯片表面的钝化作用膜等。这种气体也可用在复晶硅棚级电极等的行程中。