简历

目前主要研究方向

近年主要论文

广东省国土资源厅总工程师、党组成员

杨林安，男，1966年出生，西安电子科技大学微电子学院教授，博士生导师。籍贯：河北保定

2007年到2008年在日本德岛大学做高访合作研究，主要从事宽禁带半导体材料和器件工艺的研究 。主持和参与了国家863高科技VLSI重大专项课题、国防科技预先研究、国家自然科学基金等项目。国际国内期刊上发表相关论文30余篇

简历

1986年和1989年分别获西北电讯工程学院半导体物理与器件专业学士与硕士学位， 2003年6月获西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业工学博士学位。

1989至2005年，任教于空军工

2006至今，任教于西电微电子学院微电路与系统系，宽带隙半导体GaN技术研究组。

1999年起从事宽禁带半导体材料和器件工艺研究,1999-2003年主要从事SiC-MESFET大功率器件模型和工艺研究，2004-2005年博士后工作期间，主要从事微波大功率AGaN/GaN HEMT器件理论和工艺领域的研究工作和纳米CMOS器件可靠性分析课题的研究工作，2007年日本国立德岛大学工学部客座教授，从事GaN领域国际合作研究。近年来主持和参与了国家自然科学基金项目、国防科技预先研究项目、国家863重大专项课题的研究，在国际国内期刊上发表相关论文40余篇，被三大索引检索近30篇。

程大学电讯工程学院无线电通讯系。

目前主要研究方向

（1）宽带隙半导体GaN在太赫兹领域的应用（国际最新研究领域）

（2）GaN微波毫米波器件及电路研究

（3）宽带隙半导体大功率器件模型及工艺研究

近年主要论文

1. Linan Yang, Yue Hao, Jincheng Zhang, Use of AlGaN in the notch region of GaN Gunn diodes, Applied Physics Letters (accepted).

2. Lin-An Yang ,Chun-Li Yu, Yue Hao, A new model of subthreshold swing for sub-100nm MOSFETs, Microelectronics Reliability48 (2008) 342-347.

3. Yue Hao, Lin-An Yang, Jincheng Zhang, GaN-based Semiconductor Devices for Terahertz Technology，Terahertz Science and Technology, Vol.1, No 2, (2008)51-64.

4. Lin-An Yang , Yue Hao, Chun-Li Yu, An improved substrate current model for ultra-thin gate oxide MOSFETs, Solid-State Electronics50(2006) 489-495.

5. Yue Hao, Lin-An Yang, Chun-Li Yu, An optimization technique for parameter extraction of ultra-deep submicron LDD MOSFETs, Solid-State Electronics50(2006) 1540-1545.

6. Lin-An Yang, Yimen Zhang, Chunli Yu, A compact model describing the effect of p-buffer layer on the I-V characteristics of 4H-SiC power MESFETs, Solid-State Electronics49(2005) 517-523.

7. L.A. Yang, C.L. Yu, Y. Hao, Channel resistance method for parameter extraction of ultra-thin gate oxide LDD MOSFETs, Proceedings of 8 International Conference on Solid-state and Integrated Circuit Technologies,Part II, Oct.23-26,(2006) 1373-1375.

广东省国土资源厅总工程师、党组成员

简历：杨林安，男，1963年10月出生，籍贯广东郁南，研究生学历，博士学位，1983年8月参加工作，1988年1月加入中国共产党，2004年5月任广东省国土资源厅总工程师、党组成员。

分管科技教育处、省国土资源技术中心和学会协会等社会团体。