| 词条 | 武汉大学微电子与信息技术研究院 |
| 释义 | 武汉大学微电子与信息技术研究院成立于2004年4月，是以电子信息学院、计算机学院、物理科学与技术学院、生命科学学院为基础组建而成，行政办公位于武汉大学信息学部西区，是武汉大学一个跨学科、集科研和教学为一体的综合性研究机构。研究院现有专职教师14名，其中教授4名、副教授5名、讲师5名；聘有国内外专家顾问2名、兼职教授9名。教师结构为：专职教师约占60%；国内外客座教师约占40%。专职教 师都具有 博士学位，其中年轻教师约占4/5，留学归国人员约占1/2。 研究院概况武汉大学微电子与信息技术研究院是武汉大学为了充分发挥海外教学优势，促进学校多学科交叉与融合，加快武汉大学微电子及相关学科的发展，于2004年4月发文（武大科理字[2004]20号），以电子信息学院、软件工程国家重点实验室、计算机学院、物理科学与技术学院、生命科学学院为基础组建而成，由王高峰教授任院长，是武汉大学一个跨学科、集科研和教学为一体的综合性研究机构。研究院依托武汉大学“微电子学与固体电子学” 学科几十年的深厚积累，有雄厚的技术和学术优势，是国家重点学科、“211工程”建设学科、武汉大学“985工程”建设学科，其所在一级学科具有博士学位授予权。研究院自成立以来,通过和校内相关院系的通力合作，取得了长足的发展，已成为中部地区特别是武汉微电子硕士、博士等高级人才培养和技术研发的重要基地之一。研究院定位于面向国家重大战略需求，应用研究达到国内领先水平，瞄准本领域国际前沿科学问题，创新研究达到国际先进水平，力争建立高起点、高水平的国内领先、国际一流的集成电路研究交流平台，成为集成电路人才培养基地、国家IC设计软件自主产权摇篮、国家高频集成电路研究中心。 研究院发展经过5年多的努力，研究院在集成电路设计自动化（EDA）、数字集成电路、射频及光电集成电路、微纳电子器件和嵌入式系统等研究领域取得了丰硕成果并逐步形成一支高水准、精英式的科研教学队伍。研究院的教师结构：专职教师约占60%；国内外客座教师约占40%。专职教师都具有博士学位，其中年轻教师约占2/3，留学归国人员约占1/2。到2008年初为止，研究院已获得了国家自然科学基金5项（其中重大研究计划重点项目一项并获全优评级）、国家杰出青年科学基金1项、横向项目17项，发表科学论文100余篇，已培养博士15人、硕士41人；在读博士15人；在读硕士12人；工程硕士52人；出境交流7人次；派出实习20余人次；进入顶尖IC&EDA公司15人；出国继续学习9人，所培养的毕业生已成为我国集成电路领域的中坚力量。(以上统计数据截止时间:2009年9月) 研究院的运作以国家战略需求和提高相关科研领域国际竞争力为导向，走国际合作办学和与工业界紧密结合的道路。与数所世界著名高校联合办学，培养国际化人才。与国内外知名企业建立联合培养平台，使科研与应用紧密地结合，同时通过企业捐赠、技术合作等方式创造了先进的软硬件科研环境，极大地提高了开发能力和科研水平。研究院聘请多位国内外知名专家或工业界有专长的技术专家担任兼职教师。研究院从电子信息学院、计算机学院、物理科学与技术学院和数学学院招收硕、博士研究生，也招收集成电路工程硕士，从事微电子技术相关方向的跨学科研究。到2008年初为止，研究院的毕业研究生中已有5位赴美国、加拿大等国家深造，培养的博士生中有5人直接进入国际化的集成电路大公司工作。 研究院的发展目标是在微电子领域的学术研究、人才培养和应用技术等方面达到国际先进水平，研究院将依托原有基础和优势，吸纳国际先进经验，用改革的思路，创新的体制，跨越式地培养我国微电子产业飞速发展所急需的高级实用型人才，为我国从集成电路应用大国过渡到集成电路技术强国做出重大贡献。 现任领导院长王高峰，男，留美双博士，教授，博士生导师，国家杰出青年科学基金获得者。湖北省英山县人。1990年1月获得美方全额奖学金去美国留学，1993年12月获得美国威斯康辛（Wisconsin）大学电工程（Electrical Engineering）博士学位。其后师从集成电路领域世界著名科学家、TCAD之父、 美国工程院院士Robert W. Dutton教授，获得美国斯坦福（Stanford）大学科学计算（Scientific Computing）博士学位。现任武汉大学黄彰任信息技术研究所所长，武汉大学微电子与信息技术研究院院长。1993年12月至1996年5月，王高峰博士作为一名Scientist在美国Tanner Research 公司进行集成电路模拟及设计软件的研究及开发。1996年6月至2001年1月，作为Principal Engineer在世界上最大的集成电路设计软件公司Synopsys, Inc.从事科学研究及新产品开发。1999年夏天曾受邀到美国贝尔实验室进行科学研究工作。2000年发起创办美国英迪光讯公司（Intpax, Inc.），并出任该公司的首席技术长（CTO）。2003年发起创办美国矽翔微机电公司（SiargoLtd.），并出任该公司的首席技术官（CTO）。2001年9月在武汉大学筹建黄彰任信息技术研究所。2004年回国正式受聘于武汉大学，建立微电子与信息技术研究院，从事科研和教学工作至今。 王高峰博士已发表科研论文199篇，SCI收录66篇（含待收录SCI源6篇），EI收录136篇（含待收录EI源18篇），被SCI引用245篇次（他引191篇次）。在其所属专业国际顶级期刊IEEE上共发表25篇论文。拥有13项已授权专利（包括美国专利10项，中国专利3项），另有3项美国专利正在审批中。王高峰博士同时也是多个IEEE Transactions杂志的审稿人，John Wiley & Sons出版社审稿人。并在2001年被选为IEEE资深会员（Senior Member）。2005年入选(马奎斯)美国名人录，2006年入选(马奎斯)世界名人录和(马奎斯)科学工程名人录。 王高峰博士的研究领域包括高频高速集成电路及微机电系统（MEMS），微纳电子学，电子设计自动化（EDA）软件，电磁场工程，通讯工程、信号处理及人工智能等。王高峰博士承担的国家级科研项目包括：国家自然科学基金重大研究计划重点项目；国家自然科学基金面上项目；国家自然科学基金主任基金项目；国家杰出青年科学基金项目。 副院长胡继承，湖北人，博士。先后在武汉大学获得学士、硕士、博士学位，并在美国斯坦福大学计算机系做博士后研究。回国后在武汉大学微电子研究院担任专职教授并兼任研究院副院长。研究方向:软件系统开发、嵌入式系统软硬件开发、信号处理（图像、语音识别）、小波分析和应用。 研究院组成EDA软件工程研究室该研究室现有两名教授、博士生导师和两位具有博士学位的年青讲师。致力于开发快速、精确且高性能的具有自我知识产权的超深亚微米集成电路电子设计自动化软件。集成电路目前已发展到超深亚微米阶段，可以在几平方厘米的芯片上集成数千万个晶体管，从而导致集成电路只能通过EDA平台来进行设计。EDA平台是指以计算机为工作平台，融合了应用电子技术，计算机技术，智能化技术等最新成果而研制成的电子设计通用工具软件，它涵盖了电子设计、建模、仿真、验证、制造全过程的所有技术。王高峰教授领导EDA软件工程研究室研发成功了互连线寄生参数提取工具集，包括器件级（晶体管级）参数提取和全芯片（full chip）参数提取。该软件主要用于从版图提取互连线之间的寄生参数，包括寄生电容（C）和寄生电感（L）。输出包括了各种寄生参数的电路网表进行模拟验证，以确保真正制造出来的集成电路符合设计需求。到目前为止，已完成两个版本QXT1.0和QXT2.0的设计软件。 研究室组成人员：王高峰、梁意文、孙世磊、汪鼎文。 数字集成电路研究室该研究室现有三名教授、博士生导师和一名副教授。①李元香教授将可编程逻辑器件的可重配置特性与演化算法相结合提出了的一种新的硬件设计方法，它通过模拟自然的演化过程，将演化算法用于硬件电路以及电子电路系统的自动设计，使硬件具有自适应、自组织、自修复等进化特征，能够根据环境的变化而改变自身的配置和结构，动态适应生存环境。②曹阳教授和李德识教授集中于IP核技术的研究与设计。③江先阳副教授参与的骊山RISC CPU的设计和曙光超级计算机体系的研制都已经转化成产品得到应用。 研究室组成人员：江先阳、曹阳、李德识、李元香。 集成电路工程应用中心该研究室现有一位教授、博士生导师，一位教授和一位具有博士学位的年青讲师。主要从事嵌入式操作系统研究，嵌入式软件设计，图像采集、处理和传输的研究。①嵌入式操作系统研究主要是以ARM9平台为目标板，对嵌入式Linux，WinCE等嵌入式操作系统进行剪裁，针对特定的平台进行移植，设计出好的操作系统内核和应用操作界面。②在图形与图像处理算法、硬件电路设计方面，积累了丰富的工程实践经验，其中主要的研究技术积累包括：A）ADI DSP技术及应用；B）TI系列DSP技术及应用；C)FPGA技术及其应用；D）高速大容量数据采集记录技术；E）图像信号发生器；F）高速海量图像处理平台等等。集成电路工程中心研发具有自主知识产权的技术和系统，以满足国家和行业部门的需求，该工程中心将是本实验室服务于社会的主要机构。我们将通过该工程中心将实验室的科研成果进行实用型转化，并承接和管理横向合作项目。 研究室组成人员：邓德祥、胡继承、陈曦。 射频及微波集成电路研究室该研究室现有一位教授、一位副教授和一位具有博士学位的年青讲师。该研究室将射频和数模混合集成电路设计，射频与微波器件建模和射频和微波电路EDA软件工具开发作为研究的三个主要发展方向。通过整合武汉大学在射频和微波研究方面的已有资源，达到提高射频和微波集成电路研究方面的科研水平，进一步促进科研成果向产业化力度，积极推进与国内外知名企业、公司和科研机构共建科研实验室。 研究室组成：江金光、陈章友、祁昶。 光集成电路研究室该研究室现有一位教授、博士生导师，一位教授和一位副教授。该研究室的研究集中在以下两个方面：①新型集成光学器件的建模、仿真及CAD工具开发；②光互连的建模、仿真及CAD工具开发。在光集成电路领域有丰富的研究和教学实践经验。窦任生教授长期从事光学和激光技术方面的科学研究和工程技术工作，研制过空心阴极气体激光器、检测和装配精密仪器的光学工作平台、用于光通信器件生产的光学设备等；从事过光子相干光谱学、光学模式识别、图象处理、自适应光学等实验研究。发明了一种利用单一液晶光空间调制器能同时进行光波面的测量和校正的自适应光学系统。曾立波教授是中国仪器仪表学会分析仪器分会理事，分析仪器学会微分析仪器专业委员会委员。主持国家十五攻关项目“光谱成像分析系统的研制与开发”， 项目经费400万元。作为核心成员参加国家十五攻关项目“科学仪器通用软件平台的研制与开发”和国家九五攻关项目“阿达玛变换显微图像分析仪”。主持并完成多项重大课题，鉴定（验收）结论优秀，达到国际先进水平。研究成果多次被选为科技部大型仪器改造技术推广项目，并在清华大学等80多家单位使用，受到广泛好评。研制成功的电调谐滤光显微可见光光谱成像滤光器件，在显微图像分析的多个领域取得了显著的成绩。 研究室组成人员：曾立波、窦任生、石新智。 半导体器件研究室半导体器件研究室主要研究集成电路中使用的微纳电子器件的建模、仿真及设计。随着集成电路产业不断发展，芯片体积不断缩小，典型加工尺寸已由微米级进入到纳米级（λ<45nm）。传统的硅工艺中出现了一系列量子级的新效应，为保证此尺度下正确描述器件和电路的工作状态，这些效应将不能被忽略。此外，为解决硅工艺的困难，一些崭新的工艺方法，如碳纳米管场效应管，不断出现。对这些新效应、新工艺、新方法的分析、建模、仿真以及将它们对器件的影响正确的反映就成为非常必要而且重要的工作。微纳电子器件研究室的总体研究方向即是对此微纳尺度下集成电路中有源器件模型，特别是纳米级场效应管的研究。研究工作包括对已有量子器件数值模型的解析化、对微纳MOS器件量子效应研究和对碳纳米管FET和互连线模型研究。 研究室组成人员：王高峰、黄启俊、常胜。 MEMS器件及工艺研究室研究MEMS计算机辅助设计(MEMS CAD)技术，在正式试片前用于辅助MEMS产品的设计，1) 对MEMS器件进行模拟，理解微小范围内的力、热、电磁等能量之间的相互作用。2)实现MEMS设计和性能分析的高速化、自动化、可视化，实现加工工艺的参数化控制，优化MEMS结构和工艺，减少试制成本；3) 缩短设计、制作周期,提高制作过程的可重复性，从而大大提高MEMS器件的性能-价格比，增强市场竞争力。预期目标：开发出可达到实用的新型微流体器件；开发出微纳系统级、器件级MEMS CAD工具，实现MEMS建模、仿真及可视化。总体而言，我们的MEMS研究室将致力于MEMS器件的设计、仿真及验证、加工工艺、系统集成等方面的研究。 研究室人员组成：方国家、刘锋、周启发。 |
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