吴乾章，物理学家，晶体学家。广东澄迈人。１９３３年毕业于中央大学物理系。１９３６年中央研究院物理研究所研究生毕业。１９４９年至１９５０年在英国曼彻斯特大学进修。后任中国科学院物理研究所副研究员。１９５８年带头开展人工晶体生长的多种方法研究，填补了我国人工晶体学的空白。提出了单晶体Ｘ光劳厄背射归咎总图的绘制和定向方法，找出了克服人工水晶生长中“后期裂隙”的规律，研究了相图和晶体生长的关系等。