词条 | 74ls164 |
释义 | 器件功能作用8 位串入,并出移位寄存器 概述74HC164、74HCT164 是高速硅门 CMOS 器件,与低功耗肖特基型 TTL (LSTTL) 器件的引脚兼容。74HC164、74HCT164 是 8 位边沿触发式移位寄存器,串行输入数据,然后并行输出。数据通过两个输入端(DSA 或 DSB)之一串行输入;任一输入端可以用作高电平使能端,控制另一输入端的数据输入。两个输入端或者连接在一起,或者把不用的输入端接高电平,一定不要悬空。 时钟 (CP) 每次由低变高时,数据右移一位,输入到 Q0, Q0 是两个数据输入端(DSA和 DSB)的逻辑与,它将上升时钟沿之前保持一个建立时间的长度。 主复位 (MR) 输入端上的一个低电平将使其它所有输入端都无效,同时非同步地清除寄存器,强制所有的输出为低电平。 特性门控串行数据输入; 异步中央复位符合 JEDEC 标准 no. 7A; 静电放电 (ESD) 保护; HBM EIA/JESD22-A114-B 超过 2000 V; MM EIA/JESD22-A115-A 超过 200 V; 多种封装形式; 额定从 -40 °C 至 +85 °C 和 -40 °C 至 +125 °C 。 功能图图 1. 逻辑符号 图 2. IEC 逻辑符号 图 3. 逻辑图 图 4. 功能图 引脚信息图 5. DIP14、SO14、SSOP14 和 TSSOP14 封装的引脚配置 引脚说明 符号 引脚 说明 DSA 1 数据输入 DSB 2 数据输入 Q0~Q3 3~6 输出 GND 7 地 (0 V) CP 8 时钟输入(低电平到高电平边沿触发) /M/R 9 中央复位输入(低电平有效) Q4~Q7 10~13 输出 VCC 14 正电源 功能表(真值表)工作模式 输入 输出 /M/R CP DSA DSB Q0 Q1 至Q7 复位(清除) L L X X L L 至 L 移位 H ↑ l l L q0至 q6 H ↑ l h L q0 至 q6 H ↑ h l L q0 至 q6 H ↑ h H H q0 至 q6 H = HIGH(高)电平 h = 先于低-至-高时钟跃变一个建立时间 (set-up time) 的 HIGH(高)电平 L = LOW(低)电平 l = 先于低-至-高时钟跃变一个建立时间 (set-up time) 的 LOW(低)电平 q = 小写字母代表先于低-至-高时钟跃变一个建立时间的参考输入 (referenced input) 的状态 ↑ = 低-至-高时钟跃变 电器特性符号 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 VI 输入钳位电压 VCC = Min, II = -18 mA - - -1.5 V VOH 输出高电平电压 VCC = Min, IOH = Max VIL = Max, VIH = Min 2.7 3.4 - V VOL 输出低电平电压 VCC = Min, IOL = Max VIL = Max, VIH = Min - 0.35 0.5 V IOL = 4 mA, VCC = Min - 0.25 0.4 II 最大输入电压时输入电流 VCC = Max, VI = 7V - - 0.1 mA IIH 输入高电平电流 VCC = Max, VI = 2.7V - - 20 μA IIL 输入低电平电流 VCC = Max, VI = 0.4V - - -0.4 mA IOS 输出短路电流 VCC = Max (Note 4) -20 - -100 mA ICC 电源电流 VCC = Max (Note 5) - 16 27 mA 动态特性(TA=25℃) 符号 参数 To (Output) RL = 2kΩ 单位 CL = 15 pF CL = 50 pF 最小值 最大值 最小值 最大值 fMAX 最大时钟频率 - 25 - - - MHz tPLH 低到高电平输出传递延迟时间 时钟输出 - 27 - 30 ns tPHL 高到低电平输出传递延迟时间 时钟输出 - 32 - 40 ns tPHL 传递延迟时间 时钟输出 - 36 - 45 ns 推荐工作条件符号 参数 最小值 典型值 最大值 单位 VCC 电源电压 4.75 5 5.25 V VIH 输入高电平电压ViH 2 - - V VIL 输入低电平电压ViL - - 0.8 V IOH 输出高电平电流IOH - - -0.4 mA IOL 输出低电平电流IOL - - 8 mA fCLK 时钟频率fCP 0 - 25 MHz tW 脉冲宽度 时钟 20 - - ns 清除 20 - - tSU 数据设置时间 17 - - ns tH 数据保持时间 5 - - ns tREL 建立时间 30 - - ns TA 工作温度 0 - 70 ℃ [1] 对于 DIP14 封装:Ptot 在超过 70 °C 时以 12 mW/K 的速度线性降低。 [2] 对于 SO14 封装:Ptot 在超过 70 °C 时以 8 mW/K 的速度线性降低。 [3] 对于 SSOP14 和 TSSOP14 封装:Ptot 在超过 60 °C 时以 5.5 mW/K 的速度线性降低。 [4] 对于 DHVQFN14 封装:Ptot 在超过 60 °C 时以 4.5 mW/K 的速度线性降低。 时序图 |
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