瓦记录是提高磁道密度的技术。其原理是在之前写好的磁道数据上重叠记录下一磁道的部分数据，这从本质缩小了磁道的宽度。如此反复，就可以像重叠屋瓦一样记录数据。因此被称作瓦记录。

发展

有一种磁记录技术因无需大幅改变现行记录介质和磁头便可将硬盘的面记录密度提高到现行的10倍以上而备受关注。这就是被称为“shingled write recording（瓦记录）”的方式。日本的信息存储研究推进机构（SRC）将该技术定位于多项新技术中“最可行的技术”（SRC专务理事押木满雅）。SRC以2010年5月公开为目标，正在研究能够实现面记录密度达到2TB/（英寸）的技术，瓦记录很有可能成为硬盘技术的核心。SRC中有技术人员认为，通过组合瓦记录和“二维磁记录”，还能实现5TB/（英寸）。这相当于现有产品面记录密度400GB/（英寸）的10倍以上

此前研究人员一直认为要将硬盘记录密度提高到1TB/（英寸）以上，必须导入与现有技术有本质区别的新技术。分离磁道介质（Discrete Track Media）、晶格介质（Bit Patterned Media）、热辅助记录及微波辅助记录都曾是候补。但是，这些技术难度很大，不少企业对导入持怀疑态度。

而与上述技术相比，很多技术人员认为实现瓦记录所需要的技术通过改进现有技术便可达到。瓦记录还处于模拟阶段就已经备受关注的原因就在于此。如果该技术能够达到实用水平，1TB/（英寸）以上的硬盘产品将会迅速普及 （注：与现在相差悬殊的新技术难以导入的原因还有制造成本过高。本来预计技术课题较少的分离磁道介质将于2009年导入产品中。但受2008年下半年以来全球经济低迷的影响，“厂家对导入需要巨额设备投资的分离磁道介质，比原来更加谨慎”（多家硬盘厂商）。 ）

利用瓦记录能使面记录密度超过1TB/（英寸） 的原因在于无需缩小记录磁头的宽度。过去的方式需要使记录磁头的宽度与磁道宽度保持一致。因此，随着磁道变窄，磁头产生的磁场减小，就不能在顽磁力强的磁性材料上进行记录了。不能使用顽磁力强的材料，就无法避免“热扰动”问题，因此提高密度有限。而瓦记录时，磁头能够产生强磁场，因此容易摆脱这种困境。

图1　通过瓦记录，面记录密度超过1TB/（英寸） SRC预计通过扩展现有技术实现的硬盘面记录密度为1TB/（英寸）左右。研究人员一直认为，要使面记录密度达到1TB/（英寸） 以上，需要新技术。SRC指出“瓦记录”最容易导入。（图：根据SRC的资料制作）

瓦记录采用的记录磁头的形状与现有磁头有所不同。用于在磁道宽度方向上减小泄漏磁场的屏蔽层至关重要。据悉，要实现2TB/（英寸），在屏蔽层形成时需要宽数nm左右的微细加工技术。此外，减小记录介质中的磁性颗粒，减小尺寸不均也非常重要。不过，这些问题估计都能通过扩展现有技术获得实现。

现有记录方式与瓦记录的主要区别在于相邻磁道间的数据干扰。瓦记录时，有可能受到相邻磁道的强烈干扰。现在研究人员正在研究的是利用这一难点来提高记录密度。即：二维磁记录方法。

在半径方向上写入瓦记录是在之前写好的磁道数据上写入下一个磁道的数据，两者部分重叠。这样，实质上可以减小之前写好的磁道的宽度。如此反复，便可提高磁道密度。与不往上写的原方式相比，磁道密度可提高到2倍左右。

现在硬盘的数据堆积在磁道沿线上，左右数据甚至相互干扰。由于事先知道干扰，可以通过信号处理对数据解码。二维磁记录还将这种想法应用于磁道间干扰，预先考虑两方向的干扰进行记录播放。

瓦记录面临的课题是系统中硬盘的处理方法会大幅变化。与现有硬盘不同，难以频繁擦写分散在磁盘上的小容量数据。瓦记录通过在相邻磁道数据上写入数据使磁道变窄，因此即使想改变某磁道上的一小部分数据，也要一起擦写多个磁道的数据。因此硬盘的擦写单位会比现在大得多。

至于擦写单位多大合适，目前还没有结论。不过，估计通过设置某种缓冲器等方法，可保证整个系统不出问题。

注1）与现在相差悬殊的新技术难以导入的原因还有制造成本过高。本来预计技术课题较少的分离磁道介质将于2009年导入产品中。但受2008年下半年以来全球经济低迷的影响，“厂家对导入需要巨额设备投资的分离磁道介质，比原来更加谨慎”（多家硬盘厂商）。