锑化铟

锑化铟

InSb(indium antimonide)

CAS:1312-41-0

EINECS:215-192-3

式量:237

熔点535,密度5,76 g/cm3锑和铟的化合物。金属锑和铟在高温熔合而得。具闪锌矿型结构的晶体。重要半导体材料之一。经熔炼提纯的单晶, 可制成具有特殊性能的红外探测器件等。

安全性:S61

危险品标志:Xn,N

锑化铟单晶

锑化铟单晶(indium antimoningle crystal InSb )性质

共价键结合，有一定离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构，晶格常数0.6478nm。密度5.775g/cm3。熔点525℃。为直接带隙半导体，室温禁带宽度0.18eV，本征载流子浓度1.1×1022/m3，本征电阻率6×10-4Ω·m，较纯晶体的电子和空穴迁移率为10和0.17m2/(V·s)。采用区域熔炼、直拉法制备。用于制作远红外光电探测器、霍耳器件和磁阻器件。