简历

主要研究方向

研究项目

以第一作者或论文联系人发表的论文：

已获得的科技成果奖项：

简历

泰达应用物理学院量子材料与器件研究室常务负责人。 1986年毕业于中南大学、粉末冶金专业，获工学学士学位； 1999年获中南大学材料学工学硕士学位； 2005年获7月获南开大学凝聚态物理专业理学博士学位；1992,2～1994,8：英国Strathclyde大学、材料系，访问学者，从事结构陶瓷研究；1994～1998年任宁夏有色金属冶炼厂科技质量处副处长；1998年任宁夏有色金属冶炼厂科技质量处处长；1999年任宁夏东方钽业股份有限公司科技部主任；2000年任晶体分厂厂长（兼书记）；2001年任宁夏东方特种材料科技开发股份公司副总经理；1999在英国Warwick大学经济管理学院学习制造工程战略管理；1999年被破格评聘为教授级高级工程师；2002年8月至今，在南开大学泰达应用物理学院工作； 2003年5月起负责量子材料与器件研究室的具体筹建工作，从事MBE材料生长与控制技术研究以及III－V族半导体材料与器件的研发。 目前负责一项国家“863”项目（项目编号：2006AA03Z413）和一项天津市重点基金（项目编号：06YFJZJC01100）

主要研究方向

无铝半导体激器的研发；

光泵浦半导体垂直外腔表面发射激光器的研发；

量子点半导体饱和吸收镜的研发；

半导体材料物理，围绕开发项目展开的材料与器件的物理与光学性质研究。

研究项目

Source　Grant No.　Subject

国家“863”项目（2006～2008）　2006AA03Z413　光泵浦1064nm半导体垂直外腔表面发射激光器芯片材料的制备

天津市重点基金（2006～2008）　06YFJZJC01100　光泵浦980nm半导体垂直外腔表面发射激光器芯片的制备

国家自然科学基金项目　60476042　半导体量子点激光材料瞬态光谱特性及超快现象研究

以第一作者或论文联系人发表的论文：

1. “High electron mobility of modulation doped GaAs after growing InP by solid source molecular beam epitaxy”， Trans. Nonferrous Met. Soc. China, Vol.15 (2), 332-335 (2005)

2. “MBE growth of high electron mobility InP epilayers”， Chinese Journal of Semiconductors, Vol. 36(8), (2005)

3. “Compatibility study on growing high quality modulation doped GaAs and InP/InP epi-layers by solid source molecular beam Epitaxy”， Journal of Synthetic Crystals, Vol.34 (3), 395-398(2005)

4. “AlAs/GaAs分布布拉格反射镜（DBR）的反射谱拟合与优化生长”，人工晶体学报，Vol.34(6), (2005)

5. “量子点红外探测器的特性与研究进展”，物理, 9, 510 (2005)

6. “调制掺杂GaAs/AlGaAs 2DEG材料持久光电导及子带电子特性研究”，物理学报，55 1379-1383 (2006)

7. “Effect of Small-angle scattering on the integer quantum Hall plateau”， Chin. Phys. Lett, 23(2) 436-439 (2006)

8. “不同淀积厚度InAs量子点的喇曼散射”，半导体学报，27(6),1012-1015,2006

9. “产生超短脉冲的光泵浦垂直外腔面发射激光器的研究进展”，激光杂志，27(2),9-10,2006

10. “Morphological and electrocal properties of InP grown by SSMBE”，Journal of Crystal Growth，299（2007） 243－247

已获得的科技成果奖项：

1. “彩电配套用钽粉”火炬计划优秀项目，一等奖，国家科委，国科火字[1998] 51号

2. “40000uFV/g、50000uFV/g超高比容钽粉”，宁夏科技进步奖，一等奖，宁夏科委，1999，10，27

3. “超高比容钽粉和细直径钽丝的开发”，杜邦科技创新奖，国家科技部，2000－C－02