深亚微米集成电路：通常把0.35-0.8μm及其以下称为亚微米级，0.25um及其以下称为深亚微米，0.05um及其以下称为纳米级。深亚微米制造的关键技术主要包括紫外光刻技术、等离子体刻蚀技术、离子注入技术、铜互连技术（不是同互连）等。目前，国际上集成电路的主流生产工艺技术为0.032μm-0.045μm。