词条 | 射频溅射 |
释义 | 射频溅射(RF sputtering) 用交流电源代替直流电源就构成了交流溅射系统,由于常用的交流电源的频率在射频段,如13.56MHz,所以称为射频溅射。 在直流射频装置中如果使用绝缘材料靶时,轰击靶面得正离子会在靶面上累积,使其带正电,靶电位从而上升,使得电极间的电场逐渐变小,直至辉光放电熄灭和溅射停止。所以直流溅射装置不能用来溅射沉积绝缘介质薄膜。为了溅射沉积绝缘材料,人们将直流电源换成交流电源。由于交流电源的正负性发生周期交替,当溅射靶处于正半周时,电子流向靶面,中和其表面积累的正电荷,并且积累电子,使其表面呈现负偏压,导致在射频电压的负半周期时吸引正离子轰击靶材,从而实现溅射。由于在靶上会形成负偏压,所以射频溅射装置也可以溅射导体靶。 在射频溅射装置中,等离子体中的电子容易在射频场中吸收能量并在电场内振荡,因此,电子与工作气体分子碰撞并使之电离产生离子的概率变大,故使得击穿电压、放电电压及工作气压显著降低。 |
随便看 |
百科全书收录4421916条中文百科知识,基本涵盖了大多数领域的百科知识,是一部内容开放、自由的电子版百科全书。