THB6128芯片也称为步进电机驱动芯片，是芯片的一种，这款THB6128是采用BiCDMOS工艺，IC管脚间距为1mm的小型MFP30KR封装而成。

特性

相关参数

使用说明

芯片封装要求

特性

双全桥MOSFET驱动，低导通电阻Ron=0.55Ω

最高耐压36VDC，峰值电流2.2A，工作电流1.5A

多种细分可选（1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32、1/64、1/128）

自动半流锁定功能

快衰、慢衰、混合式衰减三种衰减方式可选

内置温度保护及过流保护

内置1通道PWM电流控制步进电机驱动电路

BiCDMOS工艺IC

可选择2、1-2、W1-2、2W1-2、4W1-2、8W1-2、16W1-2、32W1-2相励磁

仅需Step信号输入就可以进行Step励磁

正反控制均可

内置TSD电路

内置输入下拉电阻入力

附有Reset、Enable端子

相关参数

1、 最高额定值Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

2、 正常运行参数范围Operating Range (Ta = 30 to 85°C)

3、 电器特性Electrical Characteristics (Ta = 25°C, VREF = 1.5 V, VM = 24 V)

使用说明

1、细分设定（M1、M2、M3）

2、衰减模式设定

PDT为衰减方式控制端，调节此端电压可以选择不同的衰减方式，从而获得更好的驱动效果。

3、电流设定

VREF电流设定端，调整此端电压即可设定驱动电流值

Io（100%）=VREF*（1/5）*（1/Rs） Rs为NFA(B)外接检测电阻

(例)VREF=1.5V、Rs电阻为0.3Ω时，设定电流为：

Iout　=　(1.5V/5)　/　0.3Ω　=　1.0A

4、待机功能（Standby）

ST/VCC端子为Low时，IC进入待机模式，所有的逻辑被重置，输出为OFF。ST/VCC端子为High时解除待机模式。

5、CLK脉冲输入端

6、CW/CCW：电机正反转控制端

CW/CCW为Low时，电机正转

CW/CCW为High时，电机反转

7、RESTER：上电复位端

RESET端子为Low时，输出为初始模式。励磁位置不再与CLK、CW/CCW端子关联，而被固定在初始位置。初识位置时，MO端子输出L。(Open Drain连接)

8、ENABLE：使能端

ENABLE端子为Low时，输出强制OFF，为高阻状态。但是，由于内部逻辑电路仍在动作，如果在CLK端子输入信号，励磁位置仍在进行。因此，将ENABLE重新置为High时，根据CLK输入，遵循进行的励磁位置的level输出。

9、DOWN、MO输出端

输出端子为Open Drain连接。各端子在设定状态下ON，输出Low Level。

10、斩波频率设定功能

斩波频率由OSC1端子端子-GND间连接的电容，依据下面的公式设定。

Fcp　=　1　/　(Cosc1 / 10×10-6)　(Hz)

（例）Cosc1=100pF时，斩波频率如下。

Fcp = 1 / (100×10-12 / 10×10-6) = 100(kHz)

11、输出短路保护电路

该IC为防止对电源或对地短路导致IC损坏的情况，内置了短路保护电路，使输出置于待机模式。检测出输出短路状态时，短路检出电路动作，一度输出OFF。此后，Timer Latch时间（typ:256uS）之后再度输出ON，如果输出仍然短路的话，将输出固定于待机模式。

由输出短路保护电路动作而使输出固定于待机模式的场合，通过使ST=“L”可以解除锁定。

12、通电锁定电流切换用Open Drain端子

输出端子为Open Drain连接，从CLK输入的一个上升沿脉冲开始，在由OSC2-GND间连接的电容决定的时间以内，下一个CLK的上升沿脉冲没有输出时切换为ON，输出Low Level。一次ON的Open Drain输出由下一个CLK的上升沿脉冲置为OFF。

保持通电电流切换时间(Tdown)由OSC2端子-GND间连接的电容由如下的公式设定。

Tdown = Cosc2 × 0.4 × 109 (s)

(例)Cosc2=1500pF时，保持通电电流切换时间如下。

Tdown = 1500pF × 0.4 × 109 = 0.6 (s)

芯片封装要求

封装尺寸Package Dimensions

封装：MFP30KR