孟祥敏 博士导师，男，研究员。1987.6， 兰州大学物理系毕业，获学士学位。现工作在中国科学院理化技术研究所电镜实验室。1987.9-2001.7工作在中国科学院金属研究所固体原子像开放研究实验室，从事材料的显微结构表征方面的研究工作。1998.9-1999.3: 作为日本科技厅（STA） 研究员在日本科技厅金属材料研究所（NRIM）从事Xe离子注入下TiAl金属间化合物中缺陷的原位观察。1996.12-1997.5和2001.7-2003.7在香港城市大学超金刚石和表面研究中心从事SiC增强Al基复合材料、金刚石薄膜和一位纳米材料制备、显微结构与性能的研究；2003年8月作为引进人才被聘到中国科学院理化技术研究所；2005年2月被破格提拔为研究员；在国内外学术刊物上发表论文100余篇。其中50余篇发表在SCI收录的Advanced Materials, Applied Physics Letters等外文期刊上。两篇文章被分别选作Advanced Materials和 Applied Physics Letters杂志的封面文章；“Si掺杂得GaN纳米线”（Appl.Phys. Lett）被美国物理学会和美国物理研究所主办的《纳米尺度科学与技术》“virtual Journal of nano-scale science & technology”, Nov. 24, 2003. 全文转载； “单根ZnS纳米带的光致激光”，被美国物理学会选为2004年的优秀文章进行了综合评述。

汤森路透集团于3月2日发布了2000-2010年全球顶尖一百材料学家名人堂榜单，在这份依据过去10年中所发表研究论文的引用率而确定的最优秀的100名材料学家榜单中，共有15位华人科学家入选，其中榜单前6位均为华人，孟祥敏研究员入选，排名99名。