SOI材料是新型硅基集成电路材料的简称。这类材料是为了适应航空航天电子、导弹等武器系统的控制和卫星电子系统的需求而发展起来的。SOI材料具有以下突出优点：1、低功耗；2、低开启电压；3、高速；4、提高集成度；5、与现有集成电路完全兼容且减少工艺程序；6、耐高温；7、抗辐照从而减少软件误差。这些优点使得SOI技术在绝大多数硅基集成电路方面具有极其广泛的应用背景，从而受到世界各大集成电路制造商和各国政府的高度重视，被国际上公认为“21世纪的硅基集成电路技术”。

SOI是“Silicon-on-insulator”的简称，中文译为“绝缘体上的硅”。国际上公认，SOI是21世纪的微电子新技术之一和新一代的硅基材料，无论在低压、低功耗电路、耐高温电路、微机械传感器、光电集成等方面，都具有重要应用。

上世纪90年代末，IBM大规模开展SOI技术的民用化，SOI被广泛用于超速计算机服务器中，同时带动国际上一批著名的跨国公司进入这项技术的开发。目前SOI技术已开始在世界上被广泛使用，SOI材料约占整个半导体材料市场的30%左右，预计到2010年将占到50%左右的市场。Soitec公司（世界最大的SOI生产商）的2000年～2010年SOI市场预测以及2005年各尺寸SOI硅片比重预测了产业的发展前景。

2008年12月，在上海新傲科技有限公司研发平台上，通过技术创新，制备出我国第一片8英寸键合SOI晶片，实现了SOI晶片制备技术的重要突破。

SOI绝缘硅英国ICEMOS代理—北京特博万德公司

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北京特博万德科技有限公司独家代理英国ICEMOSTECH的高品质SOI wafer和 SuperJunction MOSFET。

SOI wafer尺寸: 4”(100mm）, 5”（125mm）, 6”（150mm）and 8"（200mm）

SOI Spec. 规格：

1- Bonded SOI wafer (绝缘硅上键合硅片）

For 4”(100mm）, 5”（125mm）, 6”（150mm）

---- Handle wafer minimum 300um maximum 1000um,

---- Buried Oxide, minimum 0.1 um, maximum 4 um,

---- Device layer minimum 2 um, max 500 um.

For 8"（200mm）

---- Handle thickness minimum 500um and maximum 675um,

---- Buried Oxide minimum 0.1 um, maximum 4 um,

---- Device layer minimum 5 um, maximum 500 um.

2- Si-Si direct wafer bonding (replacement for epi) 硅-硅直接键合，可替代外延片

100mm, 125mm, 150mm and 200mm, thickness as specified above.

3- Engineered SOI, Double SOI (DSOI), Trench Isolation SOI (dielectric isolation),

Cavity SOI (for pressure sensor, gyro and accelerometer sensor, microfludic etc.)

and finally Through Silicon Via (TSV)

---- Cavity SOI - Bonded SOI or Silicon silicon DWB wafers with cavities performed within the wafer

---- Multiple SOI 2 or 3 or more layers of SOI designed around your process

---- Structured wafers silicon wafers or SOI with buried electrode layers, vias, interconnect already incorporated

4- SOI + Trench & Refill

Features

Significant die shrink compared to conventional dielectric isolation

(DI) or junction isolation

Bulk quality top silicon layer

Total device-to-device isolation

Lower substrate capacitance than bulk

Fully flexible specification on SOI, Trench and refill parameters

5- Superjunction MOSFET