刘昌龙，男，1967年出生于江苏。1985年入南京大学物理系磁学专业学习，1989年获南京大学学士学位，同年在中国科学院近代物理研究所工作，并于1999年获中国科学院近代物理研究所理学博士。1999年-2000年在中国英国萨利大学做访问学者一年。2001年7月—2003年6月在法国国家科研中心（CNRS）和欧洲ST微电子公司博士后。2003年7月起担任天津大学理学院物理系教授。2005年起担任天津大学理学院副院长。

刘昌龙主要从事粒子与固体相互作用，离子注入材料表面改性。

研究成果：

主要主持、参加和完成多项国家自然科学基金项目、中国科学院“八五”、“九五”重点基金项目以及多项甘肃省自然科学基金项目，以第一作者在国内外核心期刊上发表论文30余篇，其中《SCI》《EI》收录20篇。

中国核物理学会会员

代表著作：

Damage Production in Silicon after High Energy Ar Ion Irradiation， Nucl. Instru. Meth. B135 （1998） 219-224.

Chemical Modifications in PET Films Induced by 35MeV/u Ar Ions， Nucl. Instru. Meth. B166-167 （2000） 641-645.

Molecular Conformation Changes of PET Films under High Energy Ar Ion Bombardment， Nucl. Instru. Meth. B169 （2000） 72-77.

Study of Effects in Polyethylene Terephthalate Films Induced by High Energy Ar Ion Irradiation， Nucl. Instru. Meth. B169 （2000） 78-82.

The Evolution of Cavities in Si co-implanted with Si and He Ions， Mater， Sci. & Eng. B102 （2003） 75-79.

The Role of a Top Oxide Layer in Cavities Formed by MeV He Implantation into Silicon， European Physics： J. Appl. Phys. 23 （2003） 45-48.