| 词条 | PRAM |
| 释义 | PRAM是韩国三星公司推出的一款存储器，相比普通的DRAM和闪存，PRAM具有高速低功耗的特点。如果发展顺利的话，预计PRAM将从2007年起逐步取代闪存，成为下一代存储器产品中的主导力量。 简介三星电子最近推出了世界上首款商业化的256Mb PRAM。三星计划在2006年下半年将其投入量产，其商业化脚步大大超出预期时间。 详细介绍三星电子公司的半导体主管Hwang Chang-Kyu表示：“我曾发表过一项Hwang氏定律，指出存储器芯片的存储容量每12个月就会翻一番，这在PRAM上也适用。”与此相关的是，三星已经发布了其PRAM开发路线图，计划继2005年开发256Mb PRAM后，在2006年推出512Mb，2007年推出1Gb。 正在积极向移动半导体市场挺进的Hynix半导体公司，也已经将PRAM视为其下一代存储器产品的首位候选者，虽然该公司表示产品大规模量产的具体时间还将取决于市场条件。 像Ararion、O2IC和优先半导体这些韩国本土无晶圆半导体公司，也纷纷加快了各自开发专业存储器芯片(PRAM、McRAM等)的步伐。据报道，O2IC公司的McRAM可以在一块芯片上实现非易失性闪存和易失性DRAM和SRAM；而韩国电子通讯研究所(ETRI)借助新材料开发的下一代PRAM，其运行速度是现有PRAM的4倍以上，而功耗则仅为1/10。 2007年10月10日消息，据国外媒体报道，一家中国台湾研究机构称，它将在三年内推出相变内存（PRAM)，另一种与DRAM内存竞争的MRAM技术（磁性随机储存）也将在2008年底进入实用阶段。 与六家中国台湾芯片制造商合作的工业技术研究院（ITRI)在两年前开始开发相变内存技术。到目前为止，该合作集团已经得到了相关新技术的50项专利，并生产了芯片原型，同时还完成了晶圆切割。 ITRI与芯片制造商的合作关系将在明年6月结束，但有可能再次结成新的合作。 PRAM的优势PRAM内存可在芯片供电中断时保存数据，与普通闪存的工作原理相同。但PRAM写入数据的速度要比闪存块30倍，其寿命周期也将至少提高十倍。 ITRI可能不是第一家销售PRAM内存产品的商家。全球最大芯片制造商三星公司在去年发布了512MB新内存原型，并有望在明年早些时候上市销售。但ITRI其他公司有可能以更大的内存容量和不同功能来击败三星。 其他芯片制造商也在积极开发相变内存，其中有英特尔公司、IBM公司、Qimonda公司、意法半导体公司、Hynix半导体公司和Ovonyx。 台积电和ITRI也在开发磁性随机储存内存技术（MRAM)，双方已经获得了与此有关的40多项专利。台积电有可能在明年底或2009年早期向客户销售MRAM。 新芯片运用了 "垂直电极" 及 "3D 晶体管结构" 两项技术，让芯片的尺寸缩小，同时在写入新数据时，也不必先将旧资料复写。着眼于 Samsung 日前发表的 32GB NAND 内存还是属于 40 奈米制程，就长期来看，PRAM 也将比 NAND 更省成本。 IBM 和几家内存模块大厂合作，包括 Qimonda AG、台湾的旺宏电子（Macronix International），在固态内存（non-volatile memory）上头，有了相当大的进展。 PRAM（Phase-Change RAM），这个在将来的将来可能取代闪存（将来用来取代传统硬盘）的男人，不仅仅是在 Samsung 的大本营默默的蛰伏，以 IBM 为首的研究团队，更是在速度上硬是压下了 Samsung 先前发表的 30x 读写速度，一举推到了 500x ~ 1000x，并且电力也只需要ㄧ半，寿命（重复写入的次数）也大大的延长（以上皆是相较于一般闪存）,IBM还是强大啊,硬盘到PRAM一路都是IBM在唱主角. 发展前景不过，Samsung 这项技术是在近半年前发布，期间有啥变化，咱们也难以预知。而 IBM 方面预计在 2015 年能将 PRAM 应用在产品上，Samsung 当时则是预计在 2008 年正式上路，大家就耐心等等吧！ |
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