§ 历史
1998年，德国微结构物理研究所利用自组织生长技术在铁电薄膜中合成了纳米氧化铋有序平面阵列，记忆元件尺寸比NEC公司的产品小了50倍，达到了14纳米 14纳米，芯片的存储密度达到了10兆比特/英寸2。纳米结构有序平面阵列体系已经成为设计下一代超小型、高密度记忆元件的重要途径
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