| 词条 | 耿氏效应 |
| 释义 | § 定义 此为半导体物理学中的概念。 § 简介 耿氏效应与半导体的能带结构有关:砷化镓导带最低能谷1位于布里渊区中心,在布里渊区边界L处还有一个能谷2,它比能谷1高出0.29ev.当温度不太高时,电场不太强时,导带电子大部分位于能谷1.能谷1曲率大,电子有效质量小.能谷2曲率小,电子有效质量大() .由于能谷2有效质量大,所以能谷2的电子迁移率比能谷1的电子迁移率小,即.当电场很弱时,电子位于能谷1,平均漂移速度为.当电场很强时,电子从电场获得较大能量由能谷1 跃迁到能谷2,平均漂移速度为,由于,所以在速场特性上表现为不同的变化速率(实际上和是速场特性的两个斜率.即低电场时,高电场时).在迁移率由变化到的过程中经过一个负阻区.在负阻区,迁移率为负值.这一特性也称为负阻效应.其意义是随着电场强度增大而电流密度减小. |
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