何力新，教授。 1994年毕业于中国科技大学物理系， 并于1997年获中国科技大学硕士学位。1998 - 2003年在美国Rutgers 物理系跟随David Vanderbilt教授学习第一性原理的计算方法，并获博士学位。2003.9-2006.1在美国国家再生能源实验室Dr. Alex Zunger领导的固体理论小组从事半导体量子点的理论研究工作。2006年1月作为国外杰出人才（百人计划）引进至中国科技大学中科院量子信息重点实验室工作。 截至2006年3月止， 共发表论文13篇，其中以第一作者发表PRL 3 篇，PRB 7 篇 （其一为 Rapid Comm.）。共被他人引用160余次。

主要工作有：1. 研究了晶体中电子局域化的性质。首次发现并证明了在一维晶格中， Wannier函数和密度矩阵的一般渐进形式为幂衰减与指数衰减之积；⒉预言了InAs/InSb 量子点中存在自发形成的电子-空穴对（即强关联的激子基态）。此外的工作还包括介电，铁电材料性质的研究；耦合量子点电子结构和纠缠态的研究；等等。

主要研究兴趣：主要从事计算凝聚态物理研究,发展和应用第一性原理方法研究物质材料的基本物理性质；研究半导体量子点的电、光学性质，及其在量子计算和量子信息中的应用。

发表论文目录：

1. A. Narvaez, Lixin He, G. Bester, and A. Zunger, "Theoretical predictions of the electronic and optical properties of single and coupled (In,Ga)As/GaAs quantum dots", Physica E (published online).

2. Lixin He and A. Zunger, "Multiple charging of InAs/GaAs quantum dots by electrons and holes: addition energies and ground-state configurations", Phys. Rev. B. （in press）. .

3. Lixin He, G. Bester and A. Zunger, "Electronic phase diagrams

of carriers in self-assembled InAs/GaAs quantum dots: violation of Hund's rule and the Aufbau principle for holes",

Phys. Rev. Lett. 95, 246804 (2005).

4. Lixin He, G. Bester and A. Zunger, "Singlet-triplet splitting, correlation and entanglement of two electrons in quantum dot molecules", Phys. Rev. B. 72, 195307 (2005).

5. Lixin He, G. Bester and A. Zunger, "Asymmetry in self-assembled quantum dot-molecules made of identical InAs/GaAs quantum dots", Phys. Rev. B, 72, 081311(R).

6. Lixin He, G. Bester and A. Zunger, "Prediction of an excitonic ground state in InAs/InSb quantum dots",

Phys. Rev. Lett. 94, 016801 (2005).

7. Lixin He, G. Bester and A. Zunger, "Strain induced interfacial hole localization and light/heavy hole reversal in self-assembled quantum dots: compressive InAs/GaAs vs. tensile InAs/InSb",

Phys. Rev. B 70, 235316 (2004).

8. Lixin He and D. Vanderbilt, "First-principles study of oxygen vacancy pinning of domain walls in PbTiO3",

Phys. Rev. B 68, 134103 (2003).

9. M.H. Cohen, J. B. Neaton, Lixin He, and D. Vanderbilt, "Extrinsic models of the enormous dielectric response of CaCu3Ti4O12",

J. Appl. Phys. 94, 3299 (2003).

10. Lixin He, J. B. Neaton, D. Vanderbilt and M. H. Cohen, "Lattice dielectric response of CdCu3Ti4O12 and of CaCu3Ti4O12 from first principles", Phys. Rev. B 67, 012103 (2003).

11. Lixin He, J. B. Neaton, M. H. Cohen, D. Vanderbilt and C. C. Homes, "First-principles study of the structure and lattice dielectric response of CaCu3Ti4O12", Phys. Rev. B 65, 214112 (2002).

12. Lixin He and D. Vanderbilt, "Exponential decay properties of Wannier functions and related quantities",

Phys. Rev. Lett. 86, 5341 (2001).

13. Lixin He and G. Cheng, "RAA electron-phonon interaction cannot support high Tc in YBaCuO", Communication in Theoretical Physics 31, 305 (1999).