中国科学院研究员

2002年7月毕业于中国科学院半导体研究所，获博士学位。博士毕业后分别工作于中国科学院物理研究所（博士后）、源顺国际有限公司（应用科学家及地区经理）、德国Nanofilm公司等、中国石油大学（副教授）、智利Universidad Técnica Federico Santa María（研究助理）及台湾国立中兴大学（研究人员）。2009年3月加入中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，现为项目研究员。一直从事氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）和砷化镓（GaAs）等半导体薄膜和量子阱（QW）结构的生长、材料性能分析与器件工艺方面的研究。另外，在图形硅衬底上进行过碳纳米管的定向和选择性化学气相沉积生长以及非占据电子能态的超高真空反向光电发射谱、扫描隧道显微镜分析。目前的研究兴趣包括III-V族化合物半导体太阳能电池和发光二极管（LED）器件以及相应材料的金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长和性能分析。

主要科研经历：

设计和制备了具有良好特性的p-i-n双异质结InGaN/GaN太阳能电池，填充因子达81%；高品质GaN薄膜的MOCVD生长；GaAs与InGaAs单结太阳能电池的设计、MOCVD生长以及高导热铜衬底上“薄膜”电池的制备；在图形化蓝宝石衬底上制备了双面粗化并转移至硅衬底上之具有良好散热、大功率GaN基“薄膜”结构发光二极管LED；提出了一种直接测量GaN薄膜扭转角的方法，避免了复杂的数学计算和拟合，此方法也适用其它具有马赛克结构的薄膜；从布拉格定律出发，提出了GaN晶格常数的直接测量方法，该测量思想适合多种外延体系；详细分析了优化量子阱生长参数对蓝、绿光InGaN/GaN之LED光学和结构特性的变化；GaAsP应变补偿GaAsSb/GaAs QWs以及SiC、SiGe材料的性能分析。已在Appl. Phys. Lett., IEEE J. Quantum Electron., Phys. Rev. B, J. Appl. Phys., Semi. Sci. & Technol., J. Crystal Growth, Jap. J. Appl. Phys., Thin Solid Films以及《中国科学》、《半导体学报》上发表论文近五十篇，其中第一作者十七篇，台湾专利一项。