| 词条 | 夏从新 |
| 释义 | 个人简介夏从新：男，汉族，1979年10月，河南永城人。副教授，硕士生导师。2004年6月毕业于河南师范大学物理与信息工程学院，获硕士学位，留校从事教学和科研工作。2007年7月晋升讲师，2010年11月破格晋升副教授。 教学工作主要承担《固体物理》（春季），《普通物理》（秋季）的本科生教学工作。 研究领域主要从事半导体光电子学及器件的理论研究和设计。迄今为止，已在J.Appl.Phys 和J.Opt.Soc .Am.B等SCI源期刊上发表论文40余篇。近期研究兴趣： 1）宽带隙半导体材料中光电性质的理论研究。 2) III族氮化物半导体基光电子器件的理论模拟和设计。 3) 低维半导体结构的量子调控。 4）高效太阳能电池材料的理论模拟。 国家级项目主持国家自然科学基金项目“GaN基量子结构的非线性光学性质”[批准号：60906044，22万，2010.1—2012.12]。 近期代表性文章[1] Electric field effects on optical properties in zinc-blende InGaN/GaN quantum dot Congxin Xia, Zaiping Zeng, Shuyi Wei Journal of Luminscence, 131(2011)623. [2]Effects of laser field and electric field on impurity states in zinc-blende GaN/AlGaN quantum well Congxin Xia, Yanping Zhu, Shuyi Wei Physics Letters A 375 (2011) 2652 [3]Nonlinear Franz-Keldysh effect: two photon absorption in a semiconducting quantum well Congxin Xia, H. N. Spector Journal of the Optical Society of America B 27 (2010) 1571. [4]Electron and impurity states in GaN/AlGaN coupled quantum dots: Effects of electric field and hydrostatic pressure Congxin Xia, Zaiping Zeng, Shuyi Wei Journal of Applied Physics 108 (2010) 054307. [5]Shallow-donor impurity in zinc-blende InGaN/GaN asymmetric coupled quantum dots: effect of electric field Congxin Xia, Zaiping Zeng, Shuyi Wei Journal of Applied Physics 107 (2010) 054305. [6]Effects of applied electric field and hydrostatic pressure on donor impurity states in cylindrical GaN/AlN quantum dot Congxin Xia, Zaiping Zeng, Shuyi Wei Journal of Applied Physics 107(2010)014305 [7] Nonlinear Franz-Keldysh effect: two photon absorption in semiconducting quantum wires and quantum boxes Congxin Xia, H. N.Spector Journal of Applied Physics 106 (2009)124302/1-6. (selected for the Vo1.21,No.1 of Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology) [8] Franz-Keldy effect in the interband optical absorption of semiconducting nanostructures Congxin Xia, H. N.Spector Journal of Applied Physics 105 (2009) 084313. [9] Barrier width dependence of the donor binding energy of hydrogenic impurity in wurtzite InGaN/GaN quantum dot Congxin Xia, Zaiping Zeng, Shuyi Wei Journal of Applied Physics 106 (2009) 094301. [10]Electric field effect on the donor impurity states in zinc-blende symmetric InGaN/GaN coupled quantum dots Congxin Xia, Zaiping Zeng, Shuyi Wei Physics Letters A 374 (2009) 97. |
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