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出版社: 电子工业出版社; 第1版 (2011年1月1日)

外文书名: Microelectronic Circuit Design

丛书名: 国外电子与通信教材系列

平装: 1334页

正文语种: 英语

开本: 16

ISBN: 9787121127120, 7121127121

条形码: 9787121127120

尺寸: 25.8 x 18.4 x 4.6 cm

重量: 2 Kg

作者简介

作者：（美国）耶格（Richard C.Jaeger） （美国）布莱洛克（Travis N.Blalock）

内容简介

《微电子电路设计(第4版)(英文版)》涵盖了微电子电路设计所需基础知识，主要由三个部分组成。第一部分介绍固态电子学与器件，讨论了电子学的发展与电路分析方法和微电子器件的工作原理、I-V特性及SPICE模型等。第二部分为数字电路，包括数字电路的基本概念和CMOS电路、存储电路、ECL与TTL等双极型逻辑电路以及BiCMOS电路。第三部分为模拟电路，以理想运算放大器和SPICE仿真为基础介绍了不同结构运算放大器的相关特性、小信号模型、具体分析方法和集成设计技术，最后讨论了放大器的频率响应、反馈和振荡器等问题。通过学习《微电子电路设计(第4版)(英文版)》可以了解现代微电子电路设计，包括模拟与数字，分立与集成，了解内部结构也有利于系统设计中对集成电路的适当选择。读者对象：《微电子电路设计(第4版)(英文版)》适用作电子与信息类各专业本科生基础课的双语教材或参考书，也可作为相关领域工程技术人员的参考资料。

目录

Preface xx

PART ONE

SOLID STATE ELECTRONIC AND DEVICES 1

CHAPTER 1 INTRODUCTION TO ELECTRONICS 3

1.1 A Brief History of Electronics:

From Vacuum Tubes to Giga-Scale

Integration 5

1.2 Classification of Electronic Signals 8

1.2.1 Digital Signals 9

1.2.2 Analog Signals 9

1.2.3 A/D and D/A Converters-Bridging the Analog and Digital Domains 10

1.3 Notational Conventions 12

1.4 Problem-Solving Approach 13

1.5 Important Concepts from Circuit Theory 15

1.5.1 Voltage and Current Division 15

1.5.2 Th′

evenin and Norton Circuit Representations 16

1.6 Frequency Spectrum of Electronic

Signals 21

1.7 Amplifiers 22

1.7.1 Ideal Operational Amplifiers 23

1.7.2 Amplifier Frequency Response 25

1.8 Element Variations in Circuit Design 26

1.8.1 Mathematical Modeling of Tolerances 26

1.8.2 Worst-Case Analysis 27

1.8.3 Monte Carlo Analysis 29

1.8.4 Temperature Coefficients 32

1.9 Numeric Precision 34

Summary 34

Key Terms 35

References 36

Additional Reading 36

Problems 37

CHAPTER 2 SOLID-STATE ELECTRONICS 42

2.1 Solid-State Electronic Materials 44

2.2 Covalent Bond Model 45

2.3 Drift Currents and Mobility in

Semiconductors 48

2.3.1 Drift Currents 48

2.3.2 Mobility 49

2.3.3 Velocity Saturation 49

2.4 Resistivity of Intrinsic Silicon 50

2.5 Impurities in Semiconductors 51

2.5.1 Donor Impurities in Silicon 52

2.5.2 Acceptor Impurities in Silicon 52

2.6 Electron and Hole Concentrations in Doped

Semiconductors 52

2.6.1 n-Type Material （ND >NA ） 53

2.6.2 p-Type Material （NA >ND ） 54

2.7 Mobility and Resistivity in Doped

Semiconductors 55

2.8 Diffusion Currents 59

2.9 Total Current 60

2.10 Energy Band Model 61

2.10.1 Electron-Hole Pair Generation in an Intrinsic Semiconductor 61

2.10.2 Energy Band Model for a Doped Semiconductor 62

2.10.3 Compensated Semiconductors 62

2.11 Overview of Integrated Circuit

……

Fabrication 64

Summary 67

Key Terms 68

Reference 69

Additional Reading 69

Important Equations 69

Problems 70