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词条 王永鸿
释义

个人信息

姓名:王永鸿

性别:男

出生日期:1935/12

技术职称:教授级高工

职务:技术总监

毕业学校:东北大学

最高学位:本科

所学专业:稀有金属

从事专业:GaAs材料

工作单位:大庆佳昌科技有限公司

通讯地址:大庆市高新技术开发区产业三区

邮政编码:163316

工作简历

曾在有色金属研究总院主持“六五”至“九五”8项国家重点科技攻关项目的全部工作

1、 三项国家计委、国家科技部重点科技攻关项目

2、 一项国家“863”科技攻关项目

3、 三项国防科工委重点科研项目

4、 一项国家自然科学基金项目

擅长领域

王永鸿教授在国家半导体材料工程研究中心研发砷化镓单晶材料近40年,进行过HB(水平布里几曼)法、LEC(液封直拉)法、VGF(垂直梯度凝固)法、MCZ法和VCZ(蒸汽压控制直拉)法等多种砷化镓单晶生长技术的研究

主要成绩

被聘为部教授级高级工程师,任中国有色金属学会半导体材料委员,是《中国材料科学技术百科全书》半导体材料编委成员,曾是北京有色金属研究总院学位评审委员会委员,是本学科学术带头人之一,曾指导硕士生研究生4名,博士研究生1名。

发表论文20余篇,其中《高电子迁移率低位错高纯半绝缘GaAs单晶》等2篇被评为88、91年中国有色金属学会优秀论文。

1997年11月15日,原国家计委将VCZ法项目列入“九 · 五”国家重点科技攻关计划(计科技[1997]2253号),王永鸿教授任项目组组长。并获部级成果六项,通过国家级验收三项。

2001年4月18日原国家计委委托科技部组织专家对该项目进行验收,结论为“该VCZ法生长GaAS单晶技术达到世界先进水平,填补了国内空白”、“对发展我国半导体高新技术具有十分重大的意义”。该项目同时获得四项多国(日本、欧盟、美国、中国)专利。

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更新时间:2025/3/1 10:33:28