| 词条 | 王永鸿 |
| 释义 | 个人信息姓名：王永鸿 性别：男 出生日期：1935/12 技术职称：教授级高工 职务：技术总监 毕业学校：东北大学 最高学位：本科 所学专业：稀有金属 从事专业：GaAs材料 工作单位：大庆佳昌科技有限公司 通讯地址：大庆市高新技术开发区产业三区 邮政编码：163316 工作简历曾在有色金属研究总院主持“六五”至“九五”8项国家重点科技攻关项目的全部工作 1、 三项国家计委、国家科技部重点科技攻关项目 2、 一项国家“863”科技攻关项目 3、 三项国防科工委重点科研项目 4、 一项国家自然科学基金项目 擅长领域王永鸿教授在国家半导体材料工程研究中心研发砷化镓单晶材料近40年，进行过HB（水平布里几曼）法、LEC（液封直拉）法、VGF（垂直梯度凝固）法、MCZ法和VCZ（蒸汽压控制直拉）法等多种砷化镓单晶生长技术的研究 主要成绩被聘为部教授级高级工程师，任中国有色金属学会半导体材料委员，是《中国材料科学技术百科全书》半导体材料编委成员，曾是北京有色金属研究总院学位评审委员会委员，是本学科学术带头人之一，曾指导硕士生研究生4名，博士研究生1名。 发表论文20余篇，其中《高电子迁移率低位错高纯半绝缘GaAs单晶》等2篇被评为88、91年中国有色金属学会优秀论文。 1997年11月15日，原国家计委将VCZ法项目列入“九 · 五”国家重点科技攻关计划（计科技[1997]2253号），王永鸿教授任项目组组长。并获部级成果六项，通过国家级验收三项。 2001年4月18日原国家计委委托科技部组织专家对该项目进行验收，结论为“该VCZ法生长GaAS单晶技术达到世界先进水平，填补了国内空白”、“对发展我国半导体高新技术具有十分重大的意义”。该项目同时获得四项多国（日本、欧盟、美国、中国）专利。 |
| 随便看 |
百科全书收录4421916条中文百科知识，基本涵盖了大多数领域的百科知识，是一部内容开放、自由的电子版百科全书。