| 词条 | 秦国轩 |
| 释义 | 秦国轩男，1984年生，电子工程专业博士。天津大学电子信息工程学院副教授。专业：微电子学与固体电子学。主要研究方向：柔性微波电子器件与电路的设计、建模与制造；单晶纳米薄膜技术；射频/微波电子器件及电路的研究；高速功率SiGe HBT器件与电路。 教育背景2005年9月～2009年12月：美国威斯康星大学麦迪逊分校（University of Wisconsin-Madison）电子工程系电子工程专业博士 2001年9月～2005年7月：北京清华大学电子工程系电子科学与技术专业学士 工作经历2010年1月～至今：天津大学电子信息工程学院 2005年9月～2009年12月：美国威斯康星大学麦迪逊分校电子工程系助研 2007年9月～2007年12月：美国威斯康星大学麦迪逊分校电子工程系助教 代表著作1.G. Qin, H. Zhou, E. Rammaya, Z. Ma, and I. Knezevic, “Electron mobility in scaled silicon MOSFETs on off-axis substrates,” Applied Physics Letters, 2009, 94: 073504. 2.G. Qin, H.-C. Yuan, G.K. Celler, W. Zhou, and Z. Ma, “Flexible microwave PIN diodes and switches employing transferrable single-crystal Si nanomembranes on plastic substrates,” Journal of Physics D-Applied Physics, 2009, 42: 234006. 3.G. Qin, G. Wang, L.McCaughan, Z. Ma, “Superiority of common-base to common-emitter heterojunction bipolar transistors,” Applied Physics Letters, 2010, 97: 133506. 授权专利High-Power Common-Base Amplifier Employing Current Source Output Bias， 美国国家专利授权号US7830208B2 申请（或公示）第一发明人专利6项。 获奖情况1.2011年 获天津大学十佳杰出青年称号 2.2008年 获国际会议Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems Conference (Orlando, FL, USA)最佳论文奖 3.2008年 获威斯康星大学麦迪逊分校电子工程系优秀博士生奖金 4.2009年 获威斯康星大学麦迪逊分校Vilas奖学金 5.2005年 获清华大学优良毕业生称号 |
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