anti-ferroelectric ceramics

主晶相为反铁电体的陶瓷材料。

常见的反铁电体为锆酸铅(PbZrO3)或以其为基的固溶体。

具有高的相变场强、储能密度和较低的介电常数，低的介质损耗。如Pb0.97La0.02[(Zr59Till)0.7Sn0.3]O3反铁电陶瓷相变场强为34kV/cm(25℃)，介电常数峰值2020，居里温度181℃。

采用一般电子陶瓷工艺制造。由于其中含铅量较高，常用刚玉坩埚加盖密封烧成，以防止氧化铅高温挥发，烧成温度：1340℃左右。

用这类材料制成的抗辐射储能电容器的储能密度可达0.3J/cm3以上，制作时常在瓷片电极附近的绝缘边上涂敷半导釉，可有效地防止绝缘边击穿，提高工作电压。还可用于制作高压电容器、高介电容器，以及换能器(实现电能与机械能转换)等。