多栅晶体管技术是一种新型电路结构技术。传统晶体管是每个晶体管只有一个栅用来控制电流在两个结构单元之间通过或中断，进而形成计算中所需的“0”与“1”。而多栅晶体管技术是每个晶体管有两个或三个栅，从而提高了晶体管控制电流的能力（即计算能力），并降低了功耗，减少了电流间的相互干扰。目前，英特尔、AMD（超微半导体）和IBM公司已分别在实验室成功开发出多栅晶体管。2003年9月，AMD公布了采用全耗尽型绝缘硅（Fully-depleted SOI，FDSOI）、硅锗、三栅（Tri-Gate）和镍硅金属栅（NiSi）的栅长为20纳米的硅晶体管。IBM则已开始致力于将双栅晶体管技术应用于芯片的生产，其硅锗生产工艺等方面的进展会加快双栅晶体管技术的产品化。英特尔于2003年6月在实验室实现了栅长为30纳米的三栅晶体管，预计在2010年前后实现三栅晶体管技术的产品化，并逐渐使三栅晶体管成为未来生产出尺寸更小、处理性能更强的芯片的关键技术。