词条 | 半导体器件计算和电信中的应用 |
释义 | 图书信息书 名:半导体器件计算和电信中的应用 作 者:布伦南(KevinF.Brennan) 出版社: 机械工业出版社 出版时间: 2010年5月1日 ISBN: 9787111298366 开本: 16开 定价: 36.00元 内容简介《半导体器件:计算和电信中的应用》从半导体基础开始,介绍了目前电信和计算产业中半导体器件的发展现状,在器件方面为电子工程提供了坚实的基础。内容涵盖未来计算硬件和射频功率放大器的实现方法,阐述了计算和电信的发展趋势和系统要求对半导体器件的选择、设计及工作特性的影响。 《半导体器件:计算和电信中的应用》首先讨论了半导体的基本特性;接着介绍了基本的场效应器件MODFET和M0SFET,以及器件尺寸不断缩小所带来的短沟道效应和面临的挑战;最后讨论了光波和无线电信系统中半导体器件的结构、特性及其工作条件。 作者简介Kevin F Brennan曾获得美国国家科学基金会的青年科学家奖。2002年被佐治亚理工大学ECE学院任命为杰出教授,同年还获得特别贡献奖,以表彰他对研究生教育所作出的贡献。2003年,他获得佐治亚理工大学教职会员最高荣誉——杰出教授奖。他还是IEEE电子器件学会杰出讲师。 图书目录译者序 前言 第1章 半导体基础 1.1 半导体的定义 1.2 平衡载流子浓度与本征材料 1.3 杂质半导体材料 思考题 第2章 载流子的运动 2.1 载流子的漂移运动与扩散运动 2.2 产生-复合 2.3 连续性方程及其解 思考题 第3章 结 3.1 处于平衡状态的pn结 3.2 不同偏压下的同质pn结 3.3 理想二极管行为的偏离 3.4 载流子的注入、拉出、电荷控制分析及电容 3.5 肖特基势垒 思考题 第4章 双极结型晶体管 4.1 BJT工作原理 4.2 BJT的二阶效应 4.2.1 基区漂移 4.2.2 基区宽度调制/Early效应 4.2.3 雪崩击穿 4.3 BJT的高频特性 思考题 第5章 结型场效应晶体管和金属半导体场效应晶体管 5.1 JFET工作原理 5.2 MESFET和MODFET工作原理 5.3 JFET和MESFET的定量描述 5.4 JFET小信号模型 思考题 第6章 金属-绝缘体-半导体结构弄口M0SFET 6.1 平衡态下的MIS系统 6.2 加偏压时的MIS结构 6.3 M0SFET的基本工作原理 6.4 MESFET和M0SFET的小信号特性 6.5 CM0S电路 思考题 第7章 短沟道效应及其对CM0S的挑战 7.1 短沟道效应 7.2 尺寸缩小理论 7.3 CM0S进一步小型化中遇到的挑战 思考题 第8章 超越CM0S 8.1 超越CM0S之外的发展 8.2 碳纳米管 8.3 传统计算与感知计算、分子和生物计算 8.4 分子电子学——分子二极管和二极管一二极管逻辑门 8.5 容错计算 8.6 量子原胞自动机 思考题 第9章 电信系统概述 9.1 光纤传输 9.2 放大器与中继器 9.3 移动蜂窝电信系统 9.4 蜂窝系统的器件类型 第10章 光电器件——发射器、光放大器和探测器 10.1 发光二极管 10.2 受激发射 10.3 激光器工作原理 10.4 半导体激光器的类型 10.5 掺铒光纤放大器 10.6 半导体光放大器 10.7 p-i-n光电探测器 10.8 雪崩二极管 思考题 第11章 无线系统中高频大功率晶体管 11.1 无线传输系统中晶体管的特性 11.2 异质结 11.3 M0DFET器件 11.4 异质结双极晶体管(HBTS) 11.5 宽带隙半导体 思考题 参考书目 |
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