RDROM

RDROM(Rambus DRAM)是美国Rambus公司发明的存储技术，它采用基于CMOS工艺，每片RDRAM 芯片在9bit宽的数据通道上实现了500Mb/s的传输速率。它是标准VRAM(Video RAM)速率的3-5倍，是标准DRAM的速率的5-15倍。目前RDRAM有两种类型芯片：8/9Mbit(1Mbyte)容量的芯片和16/18Mbit(2Mbyte)容量的芯片，其时钟频率均为250MHZ。RDRAM的高速得益于其芯片的特殊结构，该结构被分为三层：核心层(Core Layer)、逻辑层(Logic Layer)和物理层(Physical Layer)。