| 释义 |
晶体管极性:N 漏极电流, Id 最大值:11A 电压, Vds 最大:600V 开态电阻, Rds(on):0.32ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:5V 功耗:36W 工作温度范围:-55°C ~ +150°C 封装类型:TO-220F 针脚数:3 SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010) 功率, Pd:36W 封装类型:TO-220F 晶体管类型:MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:600V 电流, Id 连续:11A 电流, Idm 脉冲:30A 表面安装器件:通孔安装 阈值电压, Vgs th 典型值:5V SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010) |