对于增强型MOSFET，在加有一定的源-漏电压（Vds）下，只有当栅-源电压（Vgs）大于阈值电压（Vt）时，才出现源-漏电流（Ids）；否则，当Vgs小于Vt时，则不产生沟道，基本上没有源-漏电流（实际上，往往有很小的所谓亚于电流通过）。在Vgs大于Vt、产生出沟道的情况下，沟道也是在漏极一端被夹断了的，MOSFET处于饱和状态，通过的电流IDS与栅-源电压的平方（Vgs）成正比，而与源-漏电压基本无关（即电流饱和）。

如果把MOSFET的栅极与漏极连接起来，构成所谓MOSFET二极管，则有Vgs=Vds，于是MOSFET将始终处于饱和状态（沟道夹断的状态）；这时，若减小源-漏电流Ids，那么，栅-源电压Vgs和源-漏电压Vds也都将同时相应地降低，当源-漏电流减小到0时，则Vgs和Vds必都将同时降低到阈值电压Vt。这就是说，当通过MOSFET二极管的源-漏电流为0时，在源-漏之间存在有一个电压——阈值电压Vt；或反过来说，在源-漏之间加有大小等于Vt的一个电压时，通过器件的电流为0。这也就是MOSFET二极管用作为门电路有源负载时将会产生阈值损失的根源。

这种MOSFET二极管的特殊性能（有电压、而没有电流通过的特性），在许多电路设计中很有用，它可用来有效地降低功耗。