| 词条 | 专用集成电路设计基础教程 |
| 释义 | 全书共分8章，主要包括专用集成电路概述、集成电路的基本制造工艺及版图设计、器件的物理基础及其SPICE模型、数字集成电路设计技术、模拟集成电路设计技术、专用集成电路设计方法、专用集成电路测试与可测性设计以及专用集成电路计算机辅助设计简介等内容。 图书信息书 名: 专用集成电路设计基础教程 作 者：王松林 刘鸿雁 来新泉 出版社： 西安电子科技大学出版社 出版时间： 2008年10月 ISBN: 开本： 16开 定价: 20.00 元 内容简介《专用集成电路设计基础教程》循序渐进地介绍了集成电路的基本知识和设计方法。 《专用集成电路设计基础教程》可作为高等院校通信工程、电子信息工程、电子科学与技术、测控技术与仪器、计算机技术以及自动化等专业高年级本科生或研究生的教材，也可供有关科技人员参考。 《专用集成电路设计基础教程》若与西安电子科技大学出版社同时出版的《专用集成电路设计实践》一书配套使用，效果更好。 图书目录第1章专用集成电路概述 1.1集成电路的发展 1.2集成电路的分类 1.2.1按集成规模分类 1.2.2按制作工艺分类 1.2.3按生产形式(按适用性)分类 1.2.4按设计风格分类 1.2.5按用途分类 1.3 ASIC及其发展趋势 1.4专用集成电路设计流程 第2章集成电路的基本制造工艺及版图设计 2.1集成电路的基本制造工艺 2.1.1双极工艺 2.1.2 CMOS工艺 2.1.3 BiCMOS工艺 2.2集成电路的封装工艺 2.2.1集成电路的封装类型 2.2.2集成电路封装工艺流程 2.2.3封装材料 2.2.4互连级别 2.2.5在封装中对于热学方面问题的考虑 2.3集成电路版图设计 2.3.1版图概述 2.3.2版图设计规则 2.3.3版图检查与验证 2.3.4 IC版图格式 第3章器件的物理基础及其SPICE模型 3.1 PN结 3.1.1 PN结的形成 3.1.2 PN结的理想伏安特性 3.1.3 PN结的单向导电性 3.2有源器件 3.2.1双极型晶体管及其SPICE模型 3.2.2 MOS晶体管及其SPICE模型 3.3无源器件 3.3.1电阻及其SPICE模型 3.3.2电容及其SPICE模型 3.3.3集成二极管及其SPICE模型 3.4模型参数提取 第4章数字集成电路设计技术 4.1 MOS开关及CMOS传输门 4.1.1 MOS开关 4.1.2 CMOS传输门 4.2 CMOS反相器 4.2.1 CMOS反相器的工作原理 4.2.2 CMOS反相器的直流传输特性 4.2.3 CMOS反相器的静态特性 4.2.4 CMOS反相器的动态特性 4.2.5 CMOS反相器的功耗和速度 4.2.6 BiCMOS反相器 4.3 CMOS组合逻辑 4.3.1 CMOS与非门 4.3.2 CMOS或非门 4.3.3 CMOS与或非门 4.3.4 CMOS组合逻辑门电路设计方法 4.4触发器 4.4.1 RS触发器 4.4.2 D触发器 4.4.3施密特触发器 4.5存储器 4.5.1随机存取存储器(RAM) 4.5.2只读存储器(ROM) 第5章模拟集成电路设计技术 5.1电流源 5.1.1双极型电流源电路 5.1.2 MOS电流源 5.2差分放大器 5.2.1双极IC中的放大电路 5.2.2 CMOS差动放大器 5.3集成运算放大器电路 5.3.1双极集成运算放大器 5.3.2 CMOS集成运算放大器 5.3.3集成运算放大器的主要性能指标 5.4比较器 5.4.1比较器的基本特性 5.4.2两级开环比较器 5.4.3其他开环比较器 5.4.4开环比较器性能的改进 5.5带隙基准 5.5.1基本原理分析 5.5.2实际电路分析 5.6振荡器 5.6.1概述 5.6.2环形振荡器 5.6.3压控振荡器(VCO) 第6章专用集成电路设计方法 第7章专用集成电路测试与可测性设计 第8章专用集成电路计算机辅助设计简介 参考文献 …… 书摘第1章 专用集成电路概述 1.1 集成电路的发展 1.集成电路的发明 集成电路(Integrated Circuit,IC)指通过一系列特定的加工工艺,将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件,按照一定的电路互连,“集成”在一块半导体单晶片(如硅或砷化镓)上并封装在一个外壳内,可执行特定电路或系统功能。 1959年2月,美国德州仪器公司的杰克?基尔比(Jack Kilby)在锗(Ge)衬底上形成台面双极型晶体管和电阻,再用超声波焊接将这些元器件用金属导线连接起来形成小型电子电路,并申请了专利(1964年获得美国专利)。严格地说这是一种混合集成电路,而不是一种布线和元器件同时形成的单片集成电路。但是这一发明为后来集成电路的飞速发展奠定了基础。 2.集成电路的发展及未来 1)集成电路的发展 最早的Ic使用双极型工艺,多数的逻辑Ic使用晶体管—晶体管逻辑(Transistor-Transistor Logic,TTL)或发射极耦合逻辑(Emitter-Coupled Logic,ECL)。虽然金属—氧化物—硅(Metal-Oxide—Silicon,MOS)晶体管的发明早于双极型晶体管,但氧化物界面的质量问题使得最初的M()s晶体管很难制造。随着上述问题的逐步解决,20世纪70年代出现了金属栅N沟道M0s(NMOS)工艺。当时的MoS工艺只需要较少的掩膜步骤,而且与功能相当的双极型IC相比,M0s IC的密度大、功耗小。这表明当性能一定时,采用MOs IC比采用双极型IC更便宜,由此导致了对MoS IC的投资以及市场的增长。 20世纪80年代初,晶体管中的铝栅被多晶硅栅替代,但仍保留了MOS管的名称。多晶硅作为栅材料的引入使得在同一IC上很容易制造N沟道MoS和P沟道M0s两种类型的晶体管,这就是CMOs技术,即互补型MoS((20mplementary M0s,CMOs)工艺技术的主要改进。CM0s与NMoS相比,其主要优点是功耗较低,且多晶硅栅的生产工艺更为简单,便于器件尺寸按比例缩小。 …… |
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