杨宝源 1945年12月生，北京人。大专文化，中共党员，电子部第十八研究所处长、课题组长、副处长、高级工程师。从事太阳电化研制工作16年。1968—1969年间承担“651”工程硅太阳电池环模例行实验工作为我国太阳电池空间应用打下基础。1970年研制枝状硅太阳电池任组长，在国内首先成功将气体携带法扩散用于制造大面积P—n结。1971年—1980年间研制化合物半导体太阳电地任组长，制出硫化镉薄膜太阳电池和砷化曾薄膜太阳电池样品，填补国内空白。运用液相外延法生长镓铝砷层制成P—GaAIAs—P—GaAs／n—GaAs。太阳电池，效率达17．8％，为国内最高水平。1980—1982年间参加高效硅太阳电池攻关，首次运用双层减反射膜提高硅太阳电池效率使其接近国际先进水平，完成攻关任务、为国争光。期间在国家级期刊或会议上发表专业论文5篇。所在机关从事科研管理及技术市场开发工作16年、1983～1993年承担物理电源规划管理工作，多次参加国防科工委、电子部组织编写国家发展规划工作。1993年后承担技术市场开发工作，促进科技成果转化为生产力。曾利用该所的科技成果吸引外资组建两个中外合资公司，在国内外承包建厂数十家，为研究所创得较好的经济效益和社会效益。发表技术管理论文3篇，其中1篇获天津市优秀论文奖。