在冶金界面处杂质浓度突变（ND → NA）的p-n结称为突变结。如果一般的掺杂浓度远大于另一边，则p-n结势垒区主要是在轻掺杂一边，这种突变结即称为单边突变结。例如BJT的发射结往往就可以当作为突变结。在耗尽层近似下，突变p-n结中的内建电场呈线性分布（三角形），最大电场出现在界面（x=0）处，为:

Em = ( q NA xP ) /ε= ( q ND xn ) /ε；

内建电势为: Vbi = Em W / 2 ；

势垒厚度为: W = xn + xP = { 2ε( NA + ND ) Vbi / ( q ND NA ) }1/2 ，即耗尽层宽度( W )与势垒高度( q Vbi ) 直接有关。

特别, 对单边突变的p-n结，因为NA≥ND，则有：

W ≈ xn = [ 2εVbi / (q ND) ]1/2 ，Em = ( q ND W ) /ε。