（1）基本概念：

　　　 威布斯特效应（Webster effect）是双极型晶体管（BJT）在大注入条件下工作时所出现的基区电导率增高的一种现象，又称为基区电导调制效应。BJT在大注入工作时，另外还容易出现的效应是发射极电流集边效应和Kirk效应（基区展宽效应）。

（2）产生机理：

例如，对n-p-n晶体管，当发射结电压较大、往基区大量地注入少数载流子——电子时，相应地基区中也有大量的多数载流子——空穴的积累 (并维持与电子有相同的浓度梯度), 这就相当于增加了基区的掺杂浓度, 使得基区的电阻率下降，这就是威布斯特效应。若原来p型基区的电阻率为ρo ≈ 1/(q μp Nb) ，大注入时基区中的空穴浓度将为pp = Nb + Δp = Nb + Δn，则电阻率变为ρ = 1/[q μp (Nb+Δn)] = ρo Nb/(Nb+Δn)。

（3）对器件性能的影响：

这种大注入使基区电阻率降低（注入越大, 降低得越多）的现象，就直接减小了发射结注入效率，使电流放大系数降低。

Webster effect 效应对大电流状态下工作的均匀基区晶体管（例如合金晶体管）而言，影响特别严重，这往往就是引起其大电流βo下降的主要原因。

但是，对于非均匀基区晶体管（例如Si平面双扩散晶体管）而言，在大电流时βo的下降，Webster effect效应可能不是主要原因，这时更加主要的可能是Kirk效应。

当BJT工作时出现发射极电流集边效应时，将会加剧Webster effect效应和Kirk效应。