凡采用所谓平面工艺来制作的晶体管，都称为平面晶体管。现在所使用的Si-BJT几乎都是平面晶体管。相对于台面晶体管而言，这种晶体管的芯片表面基本上是平坦的（实际上存在不少台阶），故有“平面”之称。

平面晶体管的基区一般都是采用杂质扩散技术来制作的，故其中杂质浓度的分布不均匀（表面高，内部低），将产生漂移电场，对注入到基区的少数载流子有加速运动的良好作用。所以平面晶体管通常也是所谓漂移晶体管。这种晶体管的性能大大优于均匀基区晶体管。

Si平面晶体管的一个重要优点就是其表面都容易通过热氧化而覆盖一层氧化层来保护着，使得器件的稳定性、可靠性极其优越。现在的集成电路几乎都是采用Si平面晶体管来构成的。