基本信息

主要研究方向

主要经历及成果

曾发表的文章

基本信息

姓名：孟宪权

职称：博士，副教授

主要研究方向

(1) 半导体量子点激光器、探测器

(2) 宽禁带半导体材料及敏感器件

(3) 半导体纳米材料

主要经历及成果

武汉大学物理系硕士研究生毕业，中国科学院半导体研究所博士研究生毕业。95、97、99年三次获得武汉大学优秀青年教师、优秀导师奖。在国内外刊物发表文章20多篇，申请专利一项，获得2001年武汉市科技进步一等奖一次。

曾主要参加：国家自然科学基金面上项目：“量子点子带间跃迁红外激光器材料和器件研究”，“GaN的离化团束制备及离子注入研究”；《国家重点基础研究发展规划》（973）项目：“信息功能材料相关基础问题”的03课题“应变自组装量子线、量子点材料”；《国家高技术研究发展计划》（863）项目：项目名称：“光泵浦、光通信用自组装量子点激光器”，国家自然科学基金重大项目“半导体纳米材料的可控、有序生长”等项目。

曾发表的文章

（1）X. Q. Meng, B. Xu, P. Jin, X. L. Ye,etal. Dependence of Optical Properties on the Structure of Multi-Layer Self-Organized InAs Quantum Dots Emitting Near 1.3mm,

Journal of Crystal Growth 243 (2002) 432-438

（2）X. Q. Meng, P. Jin, B. Xu, et al. A novel line-order of InAs quantum dots on GaAs

Journal of Crystal Growth 241 (2002) 69-73

（3）X. Q. Meng, B. Xu, P. Jin, X. L. Ye et al.Studies of Multi-layer Self-organized Quantum Dots Used as Gain materials Emitting Near 1.3mm The 8th International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM2002), June 10-14, 2002 Xi’an, China

（4）X. Q. Meng, W. Zhen, J.P. Guo and X. J. Fan The structural, optical and electrical properties of ZnO and ZnO-Al2O3 thin films produced by dc magnetron sputtering

Appl. Phys. A 70, (2000) 421-424

（5）X. Q. Meng, Zhao Chun, Wang Qiong, et al. Preparation of GaN thin films by reactive Ionized cluster beam technique Chin. Phys. Lett. 16(5) (1999) 367-369

（6）X. Q. Meng, Z. H. Zhang, H. X. Guo A. G. Li. And X. J. Fan Arc discharge synthesizing of carbon nitride Solid state communications 107(2) (1998) 75-78

（7）A new formula on the thickness of films deposited by planar and cylindrical sputtering

X. Q. Meng, X. J. Fan H. X. Guo

Solid Thin Films 335 (1998) 279-283

（8）X. Q. Meng, P. Jin, B. Xu, C.et al. Self-organized Growth of Quantum Dots in Line Order

The 7th International Conference on Nanometer-Scale Science and Technology and the 21st European Conference on Surface Science (NANO-7/ECOSS-21), June 24, 2002 Malmö, Sweden.

（9）Peng Jin, X. Q. Meng, Z. Y. Zhang, et al. Effect of InAs Quantum dots on the Fermi Level Pinning of Undoped-n(+) Type GaAs Surface Studied by Contactless Electroreflectance,

J. Appl. Phys.93（7）（2003）4169-4172

（10）Jin Peng, X. Q. Meng, Zhang Zi-Yang, et al. Modulation spectroscopy of GaAs covered by InAs quantum dots Chin. Phys. Lett. 19(7) (2002) 1010-1012

（11）Z.Y. Zhang, X.Q. Meng, P. Jin, et al. A novel application to quantum dot materials­­ to the active region of superluminescent diodes J. Crystal. Growth 243, 25(2002)

(12) 孟宪权 徐波 金鹏 王占国等 量子点垂直腔面发射激光器有源区制备研究 第12届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 2002年10月，厦门