基本信息

公司简介

发展简史

产品与服务

历史沿革

基本信息

企业全称：台湾力晶半导体股份有限公司

企业简称：力晶

英文名称：Powerchip Semiconductor Corp.

成立时间：1994-12

机构性质：股份有限公司

所属行业：半导体芯片

公司简介

力晶于八十三年十二月创立于新竹科学园区，业务范围涵盖动记忆体制造及晶圆代工两大类别。八十七年以科技类股票在台湾正式挂牌上柜。八十八年发行全球存托凭证，成为我国第一家在卢森堡证券交易所上市的上柜公司。截至九十六年底，力晶拥有六千一百位员工，资本额达新台币七百八十二亿元，年度营收为新台币七百七十五亿元。

发展简史

为提升在国际市场的竞争力及达到量产的经济规模，公司设立之初，力晶即与日本三菱电机建立技术、生产与销售的策略联盟关系。目前与日本的DRAM大厂Elpida缔结策略联盟，双方携手合作共同研发最尖端DRAM技术。代工方面，力晶亦为三菱与日立LSI部门合并後的新公司瑞萨科技(Renesas Technology Corp.)的主要代工夥伴，迈向系统晶片(System LSI)产品领域。

产品与服务

力晶八吋晶圆厂(8A厂)，自八十五年开始运转量产，目前已达四万片的满载月产能规模。八十九年力晶兴建第一座十二吋晶圆厂(12A厂)，满载月产能可达四万五千片，不仅是台湾第一座为制造先进记忆体而量身打造的十二吋晶圆厂，也是全球半导体业界前三座进入量产的十二吋DRAM厂。九十二年十月力晶兴建第二座十二吋晶圆厂（12B厂），预计九十四年第三季进入量产，满载月产能可达四万片规模。

精进技术、服务客户，成为稳定获利的世界级半导体公司，是力晶的愿景。目前，力晶以先进的科技和产能，提供标准型记忆体(DRAM)、消费性记忆体 (C-RAM)、通讯用记忆体(M-RAM)、高容量快闪记忆体(Flash)、CMOS影像感测器及多元化代工服务。未来，力晶将强化国际合作策略，引进尖端科技，持续稳健投资，在快速变迁的高科技产业中不断建立竞争优势，成为与客户共创双赢的全方位记忆体供应商。

历史沿革

1994 年 12 月 力晶半导体股份有限公司成立。

1995 年 03 月 八吋晶圆厂(8A厂)动土典礼。

1996 年 04 月 8A厂正式启用。

10 月 8A厂开始量产0.40微米 16Mb DRAM / SDRAM。

1997 年 12 月 获颁 ISO 9002 国际品保系统验证证书。

1998 年 02 月 8A厂量产 0.30 微米 64Mb DRAM / SDRAM。

03 月 公司股票正式以科技类股於柜买中心挂牌上柜。

07 月 切入代工服务领域有成，第一家美国代工客户产品试产成功。

12 月 获颁 ISO 14001 国际环境管理系统验证证书。

1999 年 06 月 与世界先进及三菱电机签订策略联盟合作备忘录，共组联盟关系。

11 月 发行第一次海外存托凭证，总金额达美金288,900,000元。

2000 年 07 月 举行第一座十二吋晶圆厂(P1厂)动土典礼。

2001 年 05 月 发行第一次公司债(含海外公司债)，总额达美金200,000,000元。

09 月 荣获经济部工业局所举办的第十二届「品质优良案例奖」。

2002 年 10 月 通过OHSAS 18001职业安全卫生评估系列验证。

11 月 第一座十二吋晶圆厂(Fab P1)正式量产。

2003 年 01 月 谢再居博士接任总经理肩负营运重责。

08 月 力晶与日本Elpida公司正式签订0.10、0.09微米技术转移合约。

10 月 第二座十二吋晶圆厂(P2厂)动土典礼。

2004 年 04 月 力晶十二吋晶圆厂代工业务正式投片。

09 月 力晶员工诊所开幕。

2005 年 01 月 获颁ISO / TS 16949证书。

03 月 P2厂正式启用。

05 月 力晶开始以十二吋晶圆厂生产高容量快闪记忆体。

2006 年 01 月 与旺宏达成协议购入晶圆厂房，并命名为 12M厂。

02 月 与瑞萨 (Renesas) 达成AG-AND 快闪记忆体技术授权协议。

12 月 与尔必达签订合作备忘录，将设合资公司以新台币4,500亿元於台湾中部建置全球最大12吋晶圆DRAM厂区；双方并决定共同开发50奈米DRAM制程技术。

2007 年 06 月 力晶研发测试中心动土典礼。

10 月 与尔必达合资之瑞晶电子公司第一座十二吋晶圆厂(R1厂)启用。

2008 年 04 月 8A厂独立为钜晶电子公司。

4 月 与日商瑞萨、SHARP合资设立Renesas SP公司，共同拓展LCD驱动晶片市场。

4 月 第四/五座十二英寸晶圆厂(P4/P5厂)动土。